bachelorArbeit-Development of gate technology

Physikalisches
Institut
Experimentelle Physik 3
Datum : 01.12.2009
Bachelor – Arbeit
Titel
Development of gate technology.
Kurzdarstellung
Many spintronic devices are so-called 3-terminal
devices, like a transistor, which are based on controlling
the flowing (spin-polarized) current with a gate. In order
to optimize device performance, gates are needed that
hold high voltages without leaking, having any trapped
interface states that lead to hysteresis, and remaining
compatible with device processing lithography. We are
constantly developing new and improved gating
methods, and their processing and testing would make
good projects for bachelorarbeiten.
Beginn möglich ab
01.12.2009
Kandidaten*)
2
Materialien
Für die erste Besprechung bringen Sie bitte mit:
-
*) Der Umfang des hier beschriebenen Themengebietes genügt für die angegebene Anzahl an Kandidaten (Themen).
Arbeitsgruppe
Spintronics Nanostrukturen
AG-Leiter
Dr. Gould
Betreuer 1:
Betreuer
E-Mail
Telefon
Raum
Dr. Charles Gould
[email protected]
+49 931 31 85899
C063
Betreuer 2:
Betreuer
E-Mail
Telefon
Raum
[email protected]
+49 931 31 8xxxx
xxxx
Grundlage für alle rechtlichen Fragen rund um das Studium bildet die
Allgemeine Studien- und Prüfungsordnung
(ASPO) der Universität Würzburg für alle Bachelor- und Masterstudiengänge.
Die Dauer der Bachelor-Arbeit beträgt 6+2 Wochen, Anmeldung zu Beginn, Bestätigung der Annahme durch den
betreuenden Hochschullehrer beim Dekanat. Es werden zwei gebundene Exemplare und zwei elektronische Datenträger (CD
mit PDF) abgegeben. Es gibt nur ein Gutachten, nämlich das vom betreuenden Hochschullehrer. Empfehlung: Der Umfang
der schriftlichen Arbeit sollte ca. 25 Textseiten betragen, dazu kommen eine halbseitige Zusammenfassung, das
Literaturverzeichnis etc. und die von der Prüfungsordnung (ASPO) geforderte schriftliche Versicherung des Verfassers.