Présentation Jonction PN

Atome de silicium:
28
14Si
+14
+4
Cristal de silicium
4
3
atome
4
Bande de conduction
gap
3
Bande de valence
noyau
cristal
bande de conduction
4
gap
bande de valence
3
noyau
Semi-conducteur dopé
atome pentavalent
(Arsenic)
Cristal N
atome tétravalent
(Gallium)
Cristal P
4
3
bande de conduction
bande de valence
semi-conducteur intrinsèque
4
3
bande de conduction
bande de valence
semi-conducteur dopé N
é = porteurs majoritaires
trous = porteurs minoritaires
4
3
bande de conduction
bande de valence
semi-conducteur dopé P
trous = porteurs majoritaires
é = porteurs minoritaires
Jonction PN
diffusion
recombinaison
E
Polarisation de la diode
Diode polarisée dans le sens « passant » ou « direct »
Ea
+
Ec
courant des porteurs majoritaires dans la diode (mA, A)
Diode polarisée dans le sens « bloquant » ou « inverse»
Ea
EEc
+
courant des porteurs minoritaires dans la diode (µA, nA)
diode non
polarisée
diode
polarisée
passant
diode
polarisée
inverse
µA
Photodiode - principe
γ ou X
E
+
1 photon
=
création
électron-trou
pas de
recombinaison
courant inverse
augmenté
Diode polarisée dans le sens inverse afin
d'augmenter la zone de charges d'espace
et donc l'efficacité du processus
µA
I (µA)
t