Caractéristiques de Dipôles 1) Caractéristique d`une diode au

Caractéristiques de Dipôles
1) Caractéristique d'une diode au Silicium 1N4004:
E = variable de -10 Volts à +10 Volts (Attention: alimentation à masse flottante !!!)
Utilisation de l'interface Orphy-GTS2
Graphe de i = f(U)
Orphy en mode XY
Choisir Abscisse voie A qui est EAD0
lui donner un nom Ud sans étalonnage
(il s’agit d’une tension mesurée).
Ordonnée voie EAD1, nom: i ( car r = 1 Ω )
sans étalonnage.
Choisir une acquisition point par point ou XY
R = 100 Ω ( Rp résistance de protection )
Diode Si 1N4004
Faire varier E de -10 à +10 volts à l'aide du Voltmètre
Acquisition point par point automatique
2) Caractéristique d'une diode Zéner BZY 2V7: