Le test in-situ relève le défi les technologies basse tension

Transcription

Le test in-situ relève le défi les technologies basse tension
S olutions
TEST DE CARTES ÉLECTRONIQUES
Le test in-situ
relève le défi
les technologies
basse tension
▼
Les circuits intégrés travaillent à des tensions de plus en plus basses (certains fonctionnent aujourd’hui sous 1,2 V, on parle de 0,8 V…) ce qui pose de réels problèmes lors du test in-situ des cartes incorporant de tels composants. Leur
manque de précision conduit souvent à des erreurs de diagnostic. Mais, surtout,
le courant de forçage trop élevé ou mal contrôlé de ces testeurs peut conduire à
la destruction du composant. Teradyne explique ici le pourquoi du comment et
donne quelques critères sur lesquels il faut plus particulièrement se pencher au
moment du choix d’un testeur in-situ pour technologies basse tension.
L
es fabricants de semi-conducteurs
doivent répondre aux demandes du
marché de produits toujours plus
puissants, toujours plus compacts et
présentant une autonomie de fonctionnement
toujours plus longue (donc avec une consommation plus faible,afin de ménager la batterie).
Cela les a conduits, depuis maintenant une
dizaine d’années, à réduire le niveau de la tension d’alimentation de leurs composants.
En faisant fonctionner les semi-conducteurs
sous des tensions plus basses, la consommation électrique est plus faible, ce qui permet
aux ingénieurs de conception de réduire les
besoins en ventilation et/ou d’augmenter la
vitesse de traitement. Ce sont ces avantages
qui ont permis de multiplier les performances des PC par plus de 400 en l’espace de
18 ans, tandis que leur consommation éner-
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gétique demeurait globalement inchangée.
Cela dit, augmentation de la densité des composants et abaissement de la tension d’alimentation vont de pair. Par exemple, pour
la technologie CMOS, plus les structures des
transistors CMOS sont petites, et plus la
couche d’oxyde de la grille est mince. Et plus
elle est mince, plus elle est sensible aux
champs électrostatiques, donc aux tensions
d’alimentation (l’intensité du champ étant
proportionnelle à la tension d’alimentation).
Concrètement, avec une tension d’alimentation de 5 V, il n’était pas possible de descendre à une finesse de gravure inférieure à
0,6 µm, car la fiabilité de fonctionnement
s’en serait trouvée dégradée. Lorsque l’on a
pu maîtriser la technologie de fabrication à
0,35 µm, il a fallu descendre la tension d’alimentation à 2,5Vcc de façon à être sûr que
Les testeurs in-situ contrôlent les cartes électroniques en testant un par un
les composants qu’elles comportent.Si la carte comporte des composants basse
tension,le testeur doit en tenir compte,sinon il y a un risque de destruction
de ces composants lors du test…
le composant fonctionne correctement.
Tout cela explique la tendance actuelle à la réduction des tensions d’alimentation. En 10 ans,
celles-ci sont passées successivement de 5 V à
3,3V, puis à 2,5V, à 1,8V
et enfin à 0,8V.
Les basses
tensions, un défi
pour le test
Les testeurs in-situ font
appel à des interfaces de
type lit à clous qui permettent aux instruments
de test l’accès électrique
L’essentiel
De
plus en plus de cartes
électroniques comportent
des composants alimentés
en basse tension, 5 V, voire
moins
Le test de ces cartes pose un
problème aux testeurs in-situ
classiques
Les principaux (destruction
de composants, erreurs de
diagnostic) sont imputables
aux techniques de forçage
mises en œuvre sur ces testeurs
Pour les surmonter, il est
recommandé d’utiliser des
drivers à très basse impédance
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Solutions
Principe du forçage
DUT
N1
N2
U3
N8
4
U8
16
N5
N3
N4
U2
U1
N7
11
N6
Supposons que N1 ou N2 sont au niveau logique bas, alors le nœud N8 sera au
niveau bas (U3 étant ici une porte ET). Si, pour tester le circuit U8, il est nécessaire que son entrée 4 soit au niveau haut, le testeur va temporairement injecter un courant sur le nœud N8 de façon à le “forcer” à passer au niveau “haut”.
C’est ce que l’on appelle le forçage.
Principe du forçage couramment pratiqué par les testeurs in-situ de façon à forcer les entrées d’un composant numérique au niveau logique
désiré (haut ou bas) pour effectuer le test.
Effet de l’impédance trop élevée des drivers
Erreur de tension (mV)
Imprécision de la tension de forçage
I.R+décalage
Courant de forçage (mA)
driver 1,2 V sans charge
driver 1,2 V avec charge de 6 ohms
• Le driver haute impédance programmé pour forcer le niveau logique du
composant sous test ne permet en fait d’atteindre que 0,58 V.
• Le driver basse impédance atteint 1,07 V dans les mêmes conditions.
On voit ici l’influence de l’impédance de sortie du “driver”du testeur appliquant le courant de forçage aux composants sous test (afin de les
“forcer”à passer à un niveau logique haut ou bas).Plus ces “drivers”ont une impédance élevée,plus l’erreur sur la tension est importante
(et cette erreur est d’autant plus importante que le courant appliqué est important).Cette erreur peut être très gênante lorsque l’on doit
tester des composants alimentés en basse tension :il est en effet impossible de forcer les entrées du composant au niveau logique désiré par
le test.
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à chaque nœud ou équipotentielle du circuit imprimé. Grâce à ces accès, il est possible de tester individuellement chaque
composant présent sur la carte. Si le test de
chacun des composants est concluant, il y
a une forte probabilité que la carte soit
exempte de défauts d’assemblage et qu’elle fonctionnera correctement dans le cadre
de l’application à laquelle elle est destinée.
Cette stratégie de test fait appel à des techniques de désactivation et d’inhibition afin d’isoler le composant sous test des effets électriques indésirables produits par les
composants qui l’entourent.
Pour réaliser le test à vecteurs sous tension
des composants numériques, le testeur utilise des canaux de type driver/sensor (D/S)
capables de forcer les états logiques requis
en entrée et de lire les états logiques résultants en sortie. Les drivers numériques sont
des sources de courant basse impédance
généralement capables de produire ou d’absorber 600 mA, voire plus. Cette source de
courant force temporairement les nœuds
de la carte aux niveaux logiques exigés par
le test. Cette technique consistant à suralimenter momentanément les sorties d’un
composant afin de forcer un nœud à son
état logique opposé est connue sous le nom
de “forçage”.
Les techniques de test à vecteurs sont mises
en œuvre avec succès par les équipements
de test in-situ depuis plus de 20 ans. Cela
dit, avec l’arrivée des technologies basse
tension, les testeurs in-situ classiques trouvent leurs limites pour réaliser des tests
avec précision, fiabilité et sécurité. Cela
s’explique par le manque de précision des
canaux de test in-situ D/S conventionnels
et par le risque accru d’enfreindre les spécifications de plus en plus serrées des tensions et courants maximum des technologies basse tension.
Une grande précision des drivers/sensors.
Afin de pouvoir tester les technologies
basse tension, les drivers in-situ doivent
être suffisamment précis pour fournir
les tensions logiques haute et basse
attendues sur les broches d’entrée du
composant. De même, les sensors in-situ
doivent être assez précis pour détecter
la différence entre les niveaux logiques
haut et bas à la sortie du composant.
Les testeurs in-situ classiques utilisent pour
la plupart une configuration D/S associant
un driver élémentaire et un simple comparateur. Il s’agit d’une configuration simple,
économique et facile à mettre en œuvre car
elle fait appel à des composants disponibles
dans le commerce. Le driver élémentaire préMESURES 758 - OCTOBRE 2003
Solutions
Des forçages mal ajustés
Idéalement, si le driver avait une impédance nulle, la tension de forçage programmée serait effectivement appliquée aux points de test. En fait, les drivers présentent une impédance de sortie et ils introduisent une chute de tension proportionnelle au courant appliqué. Pour compenser cette chute de tension, la tension de
forçage théorique Vprog est augmentée de 1,2 V à 1,7 V.
Le but est ici de forcer l’entrée du composant U2 sous test au niveau bas, ce qui
nécessite d’appliquer un niveau supérieur à Vih min.
• La tension de 1,7 V à l’entrée du driver produit 1,12 V sur la broche du composant
testé U2 (DUT).
• U2 peut alors être testé car la tension est supérieure à Vih min (0,78 V).
• Il n’y a pas besoin de forçage sur l’entrée U1, donc les 1,7 V programmés donnent
1,6 V sur U1.
• U1 risque d’être endommagé car il subit une tension (1,6 V) supérieure à Vih max.
Pour compenser l’erreur de tension sur le forçage et obtenir le niveau désiré (ici,1,12V),les programmeurs augmentent le niveau de tension du driver (ici,1,7V).On résout un problème,mais on en crée un autre :en effet,le niveau de tension de forçage appliqué sur le circuit
U1 pour porter son entrée au niveau haut atteint un niveau trop élevé (ici,1,48V),risquant d’endommager le circuit.
Pour éviter ces inconvénients,il faut utiliser des “drivers”à basse impédance de sortie
sente une impédance de sortie typique d’environ 5 ohms et une erreur de tension sans
charge de l’ordre de 150 mV. Le sensor
employé dans cette configuration se caractérise généralement par une erreur de tension d’entrée qui peut atteindre 300 mV.
Des testeurs in-situ plus performants recourent à une boucle fermée, avec une conception basée sur des composants “sur mesure”, ce qui améliore grandement la précision
Intel PC Bus
Niveau logique
Bus FSB/PSB
AGP 3.0
Interface hub
SRAM DDR
Rambus
1,2 V
1,5 V
1,5 V
2,5 V
1,8 V
Niveaux logiques couramment utilisés par le jeu de composants
Pentium d’Intel sur les cartes mère de PC.
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de leurs drivers/sensors. Ces configurations sont
plus coûteuses et sont plus complexes à réaliser, mais elles offrent en général une impédance de sortie bien inférieure (1 ohm ou
moins) et une erreur D/S plus faible
(100 mV ou moins).
Chacune de ces conceptions de drivers/sensors
est capable de tester correctement des technologies fonctionnant sous une tension supérieure à 1,2 V, sans courant de charge. S’il
faut faire du forçage, les testeurs de conception classique ne sont cependant pas utilisables pour des niveaux de tension aussi bas,
à cause de l’impédance relativement élevée
des “drivers” (5 ohms).
Pour des tensions inférieures à 1,2 V, le test
devient impossible en raison des imprécisions inhérentes au sensor du canal de test.
Un contrôle de la précision lors des forçages. Ainsi que nous l’avons déjà dit, on
parle de forçage au cours d’un test in-situ
numérique lorsqu’un driver doit fournir du
courant pour suralimenter temporairement
une sortie de composant dont l’état logique
est l’opposé de celui recherché. Cette situation se rencontre fréquemment, en raison
de la conception de la carte, d’une défaillance sur la carte ou de l’oubli d’un code d’isolation dans le programme de test.
Prenons un exemple concret. Un programme typique de test in-situ pour une carte
mère de PC a fait apparaître que le forçage a
dû être appliqué lors des tests de des 56 composants numériques, et qu’au total 156 cas de
forçage ont nécessité un courant de forçage
supérieur à 50 mA. La valeur médiane du
courant de forçage s’établissait à 176 mA,
avec un maximum à 600 mA et une durée
maximale de forçage de 2,5 ms.
Un phénomène de forçage de cette ampleur
peut se révéler problématique sur les testeurs
in-situ utilisant un driver à impédance de sortie élevée, du fait que l’imprécision en tension
du driver augmente considérablement avec le
courant de forçage. Ceci se comprend aisément, il suffit d’appliquer la loi d’Ohm :
U = R.I. Plus le courant de forçage est élevé,
plus la chute de tension dans le driver du testeur est élevée et plus faible est la tension
effectivement appliquée sur la sortie du circuit intégré. Ainsi, un driver à haute impédance de sortie, programmé pour délivrer
1,2V ne produit que 0,58V sous une charge de 6 ohms. Par contre, un driver à basse
impédance de sortie est capable d’atteindre
1,07V dans les mêmes conditions de charge (6 Ω).
Concrètement, si on prend un driver à
haute impédance standard, pour un courant de forçage de 100 mA, le driver n’est
plus assez précis pour tester des logiques
1,2V.A 200 mA, il ne peut plus tester avec
précision les technologies 3,3 V. Au-dessus de 300 mA, cette précision devient
même insuffisante pour le test de circuits
5 V. A 500 mA, le driver à haute impédance
de sortie présente une erreur de plus de
2V. En revanche, le driver à basse impédance de sortie est suffisamment précis pour
tester une logique 0,8 V même en présence d’un courant de forçage atteignant
400 mA.
Humour ? Si les
basses tensions ne
sont pas dangereuses
pour l’homme,elles
peuvent l’être pour
les composants.
Attention donc à ne
pas faire des tests…
destructifs !
Eviter de détruire les composants
lors du test
En raison de la réduction de la taille des composants et de l’abaissement des seuils de tension maximum, les technologies basse tension sont davantage vulnérables à différents
types de défaillances.
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Solutions
Des surtensions indésirables
• Le testeur fait passer le nœud B
à l’état haut pour éviter le chan
gement d’état de la sortie de U2
pendant le test de U3.
• Du fait de l’activité de la carte
(qui est sous tension), le nœud
A, qui était à l’état haut, passe à
l’état bas, ce qui oblige la sortie du circuit U1 et donc le nœud B, à passer à
l’état haut.
• Comme ce nœud était déjà en cours de forçage à l’état haut, une pointe de
tension survient en B.
• Risque possible de dommage pour les composants U1 et U2 et de faux
messages d’erreur pour U3.
On voit ici les risques de surtension liés à l’utilisation de “drivers”haute impédance,lorsque des sorties changent d’état pendant le forçage.
Les composants U1 et U2 risquent d’être endommagés et on peut avoir des doutes quant à la fiabilité du test du composant U3.
Claquage de l’oxyde de grille des transistors
CMOS. Du fait de l’épaisseur réduite de
l’oxyde de grille des transistors, les composants alimentés en basse tension sont fragiles
lorsqu’ils sont soumis à des surtensions. Le
mécanisme de défaillance est connu sous le
nom de TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown, claquage diélectrique dépendant du
temps) et résulte d’une interaction entre le
temps, la température, la tension et l’épais-
seur de l’oxyde de grille.
Le claquage d’oxyde de grille risque de se
produire lorsqu’une broche de composant
se voit appliquer une tension supérieure à
son maximum nominal. Par exemple, la
tension maximale spécifiée pour le
bus FSB/PSB d’Intel est de 1,75 V. Si les
broches des composants sur ce bus sont
soumises à des tensions supérieures à
1,75 V pendant une durée prolongée,
Un testeur étudié pour le test des circuits basse tension
Le système de test in-situ TestStation LH
annoncé par Teradyne il y a quelques mois a
été conçu avec l’idée de tester les technologies à basse tension. Il offre une capacité de
2 048 ou 4 096 points de test, selon les versions. Le constructeur propose des versions
non multiplexées (un driver/sensor par point
de test) ou multiplexées (1 par 4 ou 1 par 8).
Ce testeur possède une instrumentation
analogique pour réaliser des mesures d’impédance sur les circuits ouverts, les courtscircuits et les composants passifs (résistances, inductances, condensateurs, etc.). Il
réalise aussi des mesures de temps et de fré-
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quence. Pour le contrôle des circuits numériques, il utilise aussi bien des techniques
sans vecteur que des techniques avec vecteurs. Le plus grand soin a été apporté à ce
niveau. C’est ainsi que les drivers/sensors
ont une impédance de sortie très faible et
qu’il est possible de programmer le niveau
et la durée des seuils. La précision des sensors est de 45 mV. Ces caractéristiques permettent au testeur de traiter les circuits
électroniques basse tension que l’on trouve
sur de plus en plus de cartes électroniques.
Ce testeur occupe une surface au sol d’à peine 1,1x0,9 m.
l’oxyde de grille des transistors s’en trouvera endommagé.
La majorité des testeurs in-situ classiques
sont conçus de telle façon que les groupes
de canaux de test D/S doivent partager les
mêmes affectations de niveaux logiques
(les canaux étant groupés par 16 ou 32).
Cette configuration, certes plus économique, risque toutefois de poser des problèmes lorsque les canaux D/S d’un même
groupe sont connectés à des broches de
composants fonctionnant sous des tensions différentes. En pareil cas, les programmeurs n’ont d’autre choix que d’affecter le même niveau logique à tous les
canaux de test du groupe, au risque d’exposer des broches de composants basse
tension à des tensions dépassant leur maximum nominal.
Par ailleurs, les risques de surtension sont
plus élevés sur des testeurs in-situ
employant des drivers à haute impédance de
sortie car les programmeurs peuvent augmenter les tensions de test pour tenter de
compenser les erreurs de tension constatées en cas de forçage.
Des testeurs in-situ plus élaborés évitent
ces problèmes potentiels en utilisant des
canaux D/S plus précis et des drivers dont
les seuils de niveaux logiques peuvent être
programmés indépendamment pour
chaque canal. Cette capacité de programmation des tests par canal évite les compromis risquant de conduire à appliquer
par inadvertance des tensions supérieures
aux maxima nominaux. De plus, elle garantit que chaque broche du composant sous
test est soumise aux niveaux logiques exacts
exigés par ce dernier.
Surcharge des diodes de protection ESD.
Les circuits intégrés comportent des diodes
de protection contre les décharges électrostatiques. Ces diodes sont sensibles aux
courants de forçage et claquent si celui-ci
dépasse le maximum spécifié. Certains
fabricants de composants conseillent de
ne pas surcharger les diodes ESD au-delà
de 100 mA. Un dépassement de cette limite peut endommager les diodes, ce qui
peut passer inaperçu lors du test de la carte (les diodes n’ont aucune incidence sur
le fonctionnement du circuit intégré, elles
n’ont qu’un rôle de protection). Mais ceci
se révélera à l’usage comme étant une
source de problème : en effet, les circuits
intégrés dont les diodes ESD sont endommagées ne sont plus protégés contre les
décharges électrostatiques, ce qui peut
dégrader leurs performances et conduire à
une panne de la carte.
MESURES 758 - OCTOBRE 2003
Solutions
Les testeurs in-situ sont, pour la majeure partie d’entre eux, incapables d’identifier et
d’éviter les surcharges des diodes ESD. Le
Teststation LH de Teradyne offre la capacité de
mesurer les courants de forçage en temps
réel, d’indiquer où se produit le forçage sur
la carte et d’en programmer l’intensité et la
durée maximales.
Latchup des transistors CMOS. Le Latchup
CMOS est une défaillance qui survient lorsqu’une paire de transistors forme une structure PNPN ou NPNP de type thyristor. Il en
résulte l’établissement d’un courant élevé,
basse impédance, entre l’alimentation et la
masse du composant, ce qui peut entraîner
son dysfonctionnement, voire sa destruction.
Ce phénomène est généralement provoqué
par l’application d’une brusque montée ou
chute de tension aux entrées du composant
CMOS. Cela peut être dû à une décharge électrostatique ou, durant un test in-situ, au
changement soudain d’état logique d’une
sortie soumise à un forçage.
Pour éviter ces pointes de tension potentiellement dangereuses durant un test in-situ
numérique, il est nécessaire de recourir à des
techniques d’isolation numérique multiniveaux (MLDI, Multi Level Disable Inhibit).
Celles-ci permettent de contrôler toutes les
sorties d’un nœud et de s’assurer qu’elles
sont dans un état connu avant d’y connecter
un driver numérique. Certains testeurs in-situ
se bornent à isoler les sorties directement
reliées aux entrées du composant sous test,
mais cela ne suffit pas à prévenir les pointes
de tension se produisant sur les équipotentielles qui ne sont pas directement connectées
à ce composant.
La durée du forçage. Le passage du courant
dans un composant soumis à un forçage
échauffe sa jonction et ses connexions en
sortie. La durée maximale de forçage sans
danger pour un circuit intégré est fonction
du nombre de broches concernées par le forçage, du niveau de courant, de la durée, du
type de boîtier et de la technologie du composant. Un forçage excessivement long risque
de causer une défaillance d’une connexion en
cas d’élévation de sa température au-delà de
son point de fusion ou bien de déclencher
sur celle-ci un phénomène de fatigue pouvant ensuite réveiller des défauts latents et
entraîner des défaillances prématurées du
composant.
C’est pourquoi il est essentiel que la durée
des tests in-situ soit réduite au minimum
dans les cas de forçage. Certains testeurs
in-situ sont dotés de contrôleurs numériques
spécialisés et de mémoires dédiées à chaque
canal, des architectures qui sont très efficaces
MESURES 758 - OCTOBRE 2003
Des erreurs de diagnostic
• Une faute en U1 (broche d’activation ouverte) cause une situation anormale
de forçage
• Les seuils de tension ne peuvent plus être atteints au nœud N3.
• Le testeur indique que U2, U3 et U4 sont défectueux.
• Rien n’indique que le problème est en fait dû au forçage
Voici une carte défectueuse (circuit ouvert au niveau de U1) pour laquelle un testeur in-situ traditionnel impute incorrectement la faute à
trois composants bons (U2,U3 et U4),tout en laissant passer le véritable problème.Des erreurs de diagnostic de ce genre accroissent les
coûts de réparation et entraînent des interventions inutiles qui risquent d’endommager encore davantage la carte
pour appliquer des vecteurs de test avec rapidité et précision. Les testeurs in-situ les moins
performants rallongent la durée des tests car
les vecteurs sont transférés à partir de la
mémoire du calculateur durant le test. La précision temporelle de ces testeurs est très
imprévisible car elle dépend du type de calculateur utilisé, du volume de données transféré et des autres applications exécutées sur
l’ordinateur.
Une expérience ayant pour but de mesurer
les performances relatives des deux méthodes
a montré qu’un testeur dépourvu de contrôleur numérique spécialisé prend 520 fois
plus de temps pour exécuter 1000 vecteurs
de test qu’un testeur qui en possède un (soit
104 ms contre 0,2 ms). Ce gain de temps
permet de moins éprouver les composants
durant un forçage et réduit le risque de
pointes de tension liées à l’activité sur la carte.
Les limites d’un test in-situ
classique
Il est clair que les testeurs in-situ classiques ne
présentent pas la précision, la sûreté et la fiabilité nécessaires pour tester des technologies basse tension. Utiliser malgré tout de
tels testeurs ne va pas sans risques.
Réduction de la couverture de fautes. Si les
canaux D/S (drivers/sensors) de test in-situ ne
sont pas assez précis pour piloter et vérifier
les broches basse tension, le fabricant de
cartes peut renoncer à tester les composants
concernés ou bien il doit se replier sur un
test hors tension sans vecteurs (test capacitif
des circuits ouverts ou de jonction de diode, par exemple). Cette alternative n’offre
pas autant d’efficacité que le test à vecteurs
numériques car elle ralentit la cadence de
test, elle augmente le coût et la complexité
des interfaces de test et elle n’est pas en mesure de détecter si on a affaire à une erreur sur
un composant (parce que l’on n’a pas mis
le bon composant) ou à un composant qui
ne fonctionne pas correctement.
Augmentation du risque de faux défauts.
En raison de l’imprécision des drivers et des
sensors des testeurs in-situ classiques et du
rétrécissement de la marge d’erreur entre
seuils logiques haut et bas, le risque est plus
élevé de voir des composants basse tension
indûment signalés comme défectueux. Des
erreurs de diagnostic de ce genre accroissent
les coûts de réparation et entraînent des interventions inutiles qui risquent d’endommager la carte davantage encore.
De nouveaux critères de choix pour
le test in-situ
Les fabricants de cartes désireux de tester avec
précision, sécurité et fiabilité les cartes à technologies basse tension doivent se tourner
vers des équipements de test in-situ réunis-
57
Solutions
Neutraliser les composants
En désactivant ou inhibant automatiquement toutes les sorties des composants qui sont connectés aux nœuds pilotés par le système de test,
on élimine les problèmes liés au forçage.Encore faut-il que le testeur le permette.
sant un certain nombre de caractéristiques.
Drivers à basse impédance de sortie et à
boucle fermée. Les testeurs in-situ doivent
offrir une erreur sur la tension de sortie du
driver inférieure à 100 mV et une impédance de sortie inférieure à 1 Ω. Ceci afin de
garantir que le driver est capable de tester les
technologies basse tension descendant jusqu’à 0,8V et qu’il conserve sa précision aussi bien en l’absence de charge que lors d’un
forçage.
Sensors à grande résolution. Les testeurs
in-situ doivent présenter une erreur de tension en entrée de moins de 100 mV, afin de
pouvoir distinguer les niveaux logiques de
sortie haut et bas pour les technologies basse tension au-dessous de 1,2V.
Un contrôle précis du courant de forçage.
Les drivers de test in-situ doivent pouvoir mesurer en temps réel l’intensité et la durée des
courants de forçage. Cette capacité permet au
testeur d’identifier les situations de test nécessitant des courants de forçage inhabituellement élevés et de mettre en évidence les zones
du programme de test où les étapes d’isolation
de composants sont absentes ou insuffisantes.
Les programmeurs de tests in-situ doivent
avoir la possibilité de fixer l’intensité et la
durée maximale du courant de forçage autorisé sur chaque broche de composant durant
son test. Cela peut servir à protéger les composants sensibles de toute surcharge en présence d’un défaut sur la carte, mais aussi à
identifier les fautes qui échappent normalement aux testeurs in-situ classiques (concernant par exemple des broches d’activation
défectueuses ou des transistors de sortie marginaux).
Affectation des niveaux logiques programmables pour chaque canal.Les canaux
D/S (driver/sensor) du testeur in-situ doi-
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vent être programmables indépendamment, plutôt qu’en groupe, en termes de
seuils de niveaux logiques, de limites de
forçage et de vitesses de réponse. Cela permet au programmeur comme au logiciel
de génération de programmes de test d’affecter des niveaux logiques adaptés à
chaque broche du composant et d’éviter
les compromis résultant de l’affectation
de niveaux logiques communs par le testeur in-situ.
Contrôleur numérique et temporisation
dédiés. Les testeurs in-situ doivent comporter un contrôleur numérique capable
d’exécuter en succession rapide des vecteurs
de test numériques, en respectant une temporisation cohérente et reproductible. Les
testeurs disposant d’un contrôleur numérique spécialisé accélèrent la cadence des
tests numériques, soumettent moins les
composants au forçage et présentent une
plus grande répétitivité sur le plan des résultats.
Isolation numérique multi-niveaux. Enfin,
les testeurs in-situ doivent s’accompagner
d’un logiciel de génération de programmes
de test et d’analyse de circuits qui désactive
ou inhibe automatiquement toutes les sorties
sur la carte qui sont connectées aux nœuds
pilotés par le test. Cette capacité est cruciale
pour empêcher des pointes de tension potentiellement dangereuses de se produire lorsqu’une sortie en cours de forçage change
soudainement d’état logique.
Alan J. Albee
Philippe Darbois
Teradyne*
Teradyne SA*
BP54
92700 COLOMBES
Tél.: 01 46 13 15 00 - Fax: 01 46 13 15 01
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