Le test in-situ relève le défi les technologies basse tension
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Le test in-situ relève le défi les technologies basse tension
S olutions TEST DE CARTES ÉLECTRONIQUES Le test in-situ relève le défi les technologies basse tension ▼ Les circuits intégrés travaillent à des tensions de plus en plus basses (certains fonctionnent aujourd’hui sous 1,2 V, on parle de 0,8 V…) ce qui pose de réels problèmes lors du test in-situ des cartes incorporant de tels composants. Leur manque de précision conduit souvent à des erreurs de diagnostic. Mais, surtout, le courant de forçage trop élevé ou mal contrôlé de ces testeurs peut conduire à la destruction du composant. Teradyne explique ici le pourquoi du comment et donne quelques critères sur lesquels il faut plus particulièrement se pencher au moment du choix d’un testeur in-situ pour technologies basse tension. L es fabricants de semi-conducteurs doivent répondre aux demandes du marché de produits toujours plus puissants, toujours plus compacts et présentant une autonomie de fonctionnement toujours plus longue (donc avec une consommation plus faible,afin de ménager la batterie). Cela les a conduits, depuis maintenant une dizaine d’années, à réduire le niveau de la tension d’alimentation de leurs composants. En faisant fonctionner les semi-conducteurs sous des tensions plus basses, la consommation électrique est plus faible, ce qui permet aux ingénieurs de conception de réduire les besoins en ventilation et/ou d’augmenter la vitesse de traitement. Ce sont ces avantages qui ont permis de multiplier les performances des PC par plus de 400 en l’espace de 18 ans, tandis que leur consommation éner- MESURES 758 - OCTOBRE 2003 gétique demeurait globalement inchangée. Cela dit, augmentation de la densité des composants et abaissement de la tension d’alimentation vont de pair. Par exemple, pour la technologie CMOS, plus les structures des transistors CMOS sont petites, et plus la couche d’oxyde de la grille est mince. Et plus elle est mince, plus elle est sensible aux champs électrostatiques, donc aux tensions d’alimentation (l’intensité du champ étant proportionnelle à la tension d’alimentation). Concrètement, avec une tension d’alimentation de 5 V, il n’était pas possible de descendre à une finesse de gravure inférieure à 0,6 µm, car la fiabilité de fonctionnement s’en serait trouvée dégradée. Lorsque l’on a pu maîtriser la technologie de fabrication à 0,35 µm, il a fallu descendre la tension d’alimentation à 2,5Vcc de façon à être sûr que Les testeurs in-situ contrôlent les cartes électroniques en testant un par un les composants qu’elles comportent.Si la carte comporte des composants basse tension,le testeur doit en tenir compte,sinon il y a un risque de destruction de ces composants lors du test… le composant fonctionne correctement. Tout cela explique la tendance actuelle à la réduction des tensions d’alimentation. En 10 ans, celles-ci sont passées successivement de 5 V à 3,3V, puis à 2,5V, à 1,8V et enfin à 0,8V. Les basses tensions, un défi pour le test Les testeurs in-situ font appel à des interfaces de type lit à clous qui permettent aux instruments de test l’accès électrique L’essentiel De plus en plus de cartes électroniques comportent des composants alimentés en basse tension, 5 V, voire moins Le test de ces cartes pose un problème aux testeurs in-situ classiques Les principaux (destruction de composants, erreurs de diagnostic) sont imputables aux techniques de forçage mises en œuvre sur ces testeurs Pour les surmonter, il est recommandé d’utiliser des drivers à très basse impédance 53 Solutions Principe du forçage DUT N1 N2 U3 N8 4 U8 16 N5 N3 N4 U2 U1 N7 11 N6 Supposons que N1 ou N2 sont au niveau logique bas, alors le nœud N8 sera au niveau bas (U3 étant ici une porte ET). Si, pour tester le circuit U8, il est nécessaire que son entrée 4 soit au niveau haut, le testeur va temporairement injecter un courant sur le nœud N8 de façon à le “forcer” à passer au niveau “haut”. C’est ce que l’on appelle le forçage. Principe du forçage couramment pratiqué par les testeurs in-situ de façon à forcer les entrées d’un composant numérique au niveau logique désiré (haut ou bas) pour effectuer le test. Effet de l’impédance trop élevée des drivers Erreur de tension (mV) Imprécision de la tension de forçage I.R+décalage Courant de forçage (mA) driver 1,2 V sans charge driver 1,2 V avec charge de 6 ohms • Le driver haute impédance programmé pour forcer le niveau logique du composant sous test ne permet en fait d’atteindre que 0,58 V. • Le driver basse impédance atteint 1,07 V dans les mêmes conditions. On voit ici l’influence de l’impédance de sortie du “driver”du testeur appliquant le courant de forçage aux composants sous test (afin de les “forcer”à passer à un niveau logique haut ou bas).Plus ces “drivers”ont une impédance élevée,plus l’erreur sur la tension est importante (et cette erreur est d’autant plus importante que le courant appliqué est important).Cette erreur peut être très gênante lorsque l’on doit tester des composants alimentés en basse tension :il est en effet impossible de forcer les entrées du composant au niveau logique désiré par le test. 54 à chaque nœud ou équipotentielle du circuit imprimé. Grâce à ces accès, il est possible de tester individuellement chaque composant présent sur la carte. Si le test de chacun des composants est concluant, il y a une forte probabilité que la carte soit exempte de défauts d’assemblage et qu’elle fonctionnera correctement dans le cadre de l’application à laquelle elle est destinée. Cette stratégie de test fait appel à des techniques de désactivation et d’inhibition afin d’isoler le composant sous test des effets électriques indésirables produits par les composants qui l’entourent. Pour réaliser le test à vecteurs sous tension des composants numériques, le testeur utilise des canaux de type driver/sensor (D/S) capables de forcer les états logiques requis en entrée et de lire les états logiques résultants en sortie. Les drivers numériques sont des sources de courant basse impédance généralement capables de produire ou d’absorber 600 mA, voire plus. Cette source de courant force temporairement les nœuds de la carte aux niveaux logiques exigés par le test. Cette technique consistant à suralimenter momentanément les sorties d’un composant afin de forcer un nœud à son état logique opposé est connue sous le nom de “forçage”. Les techniques de test à vecteurs sont mises en œuvre avec succès par les équipements de test in-situ depuis plus de 20 ans. Cela dit, avec l’arrivée des technologies basse tension, les testeurs in-situ classiques trouvent leurs limites pour réaliser des tests avec précision, fiabilité et sécurité. Cela s’explique par le manque de précision des canaux de test in-situ D/S conventionnels et par le risque accru d’enfreindre les spécifications de plus en plus serrées des tensions et courants maximum des technologies basse tension. Une grande précision des drivers/sensors. Afin de pouvoir tester les technologies basse tension, les drivers in-situ doivent être suffisamment précis pour fournir les tensions logiques haute et basse attendues sur les broches d’entrée du composant. De même, les sensors in-situ doivent être assez précis pour détecter la différence entre les niveaux logiques haut et bas à la sortie du composant. Les testeurs in-situ classiques utilisent pour la plupart une configuration D/S associant un driver élémentaire et un simple comparateur. Il s’agit d’une configuration simple, économique et facile à mettre en œuvre car elle fait appel à des composants disponibles dans le commerce. Le driver élémentaire préMESURES 758 - OCTOBRE 2003 Solutions Des forçages mal ajustés Idéalement, si le driver avait une impédance nulle, la tension de forçage programmée serait effectivement appliquée aux points de test. En fait, les drivers présentent une impédance de sortie et ils introduisent une chute de tension proportionnelle au courant appliqué. Pour compenser cette chute de tension, la tension de forçage théorique Vprog est augmentée de 1,2 V à 1,7 V. Le but est ici de forcer l’entrée du composant U2 sous test au niveau bas, ce qui nécessite d’appliquer un niveau supérieur à Vih min. • La tension de 1,7 V à l’entrée du driver produit 1,12 V sur la broche du composant testé U2 (DUT). • U2 peut alors être testé car la tension est supérieure à Vih min (0,78 V). • Il n’y a pas besoin de forçage sur l’entrée U1, donc les 1,7 V programmés donnent 1,6 V sur U1. • U1 risque d’être endommagé car il subit une tension (1,6 V) supérieure à Vih max. Pour compenser l’erreur de tension sur le forçage et obtenir le niveau désiré (ici,1,12V),les programmeurs augmentent le niveau de tension du driver (ici,1,7V).On résout un problème,mais on en crée un autre :en effet,le niveau de tension de forçage appliqué sur le circuit U1 pour porter son entrée au niveau haut atteint un niveau trop élevé (ici,1,48V),risquant d’endommager le circuit. Pour éviter ces inconvénients,il faut utiliser des “drivers”à basse impédance de sortie sente une impédance de sortie typique d’environ 5 ohms et une erreur de tension sans charge de l’ordre de 150 mV. Le sensor employé dans cette configuration se caractérise généralement par une erreur de tension d’entrée qui peut atteindre 300 mV. Des testeurs in-situ plus performants recourent à une boucle fermée, avec une conception basée sur des composants “sur mesure”, ce qui améliore grandement la précision Intel PC Bus Niveau logique Bus FSB/PSB AGP 3.0 Interface hub SRAM DDR Rambus 1,2 V 1,5 V 1,5 V 2,5 V 1,8 V Niveaux logiques couramment utilisés par le jeu de composants Pentium d’Intel sur les cartes mère de PC. MESURES 758 - OCTOBRE 2003 de leurs drivers/sensors. Ces configurations sont plus coûteuses et sont plus complexes à réaliser, mais elles offrent en général une impédance de sortie bien inférieure (1 ohm ou moins) et une erreur D/S plus faible (100 mV ou moins). Chacune de ces conceptions de drivers/sensors est capable de tester correctement des technologies fonctionnant sous une tension supérieure à 1,2 V, sans courant de charge. S’il faut faire du forçage, les testeurs de conception classique ne sont cependant pas utilisables pour des niveaux de tension aussi bas, à cause de l’impédance relativement élevée des “drivers” (5 ohms). Pour des tensions inférieures à 1,2 V, le test devient impossible en raison des imprécisions inhérentes au sensor du canal de test. Un contrôle de la précision lors des forçages. Ainsi que nous l’avons déjà dit, on parle de forçage au cours d’un test in-situ numérique lorsqu’un driver doit fournir du courant pour suralimenter temporairement une sortie de composant dont l’état logique est l’opposé de celui recherché. Cette situation se rencontre fréquemment, en raison de la conception de la carte, d’une défaillance sur la carte ou de l’oubli d’un code d’isolation dans le programme de test. Prenons un exemple concret. Un programme typique de test in-situ pour une carte mère de PC a fait apparaître que le forçage a dû être appliqué lors des tests de des 56 composants numériques, et qu’au total 156 cas de forçage ont nécessité un courant de forçage supérieur à 50 mA. La valeur médiane du courant de forçage s’établissait à 176 mA, avec un maximum à 600 mA et une durée maximale de forçage de 2,5 ms. Un phénomène de forçage de cette ampleur peut se révéler problématique sur les testeurs in-situ utilisant un driver à impédance de sortie élevée, du fait que l’imprécision en tension du driver augmente considérablement avec le courant de forçage. Ceci se comprend aisément, il suffit d’appliquer la loi d’Ohm : U = R.I. Plus le courant de forçage est élevé, plus la chute de tension dans le driver du testeur est élevée et plus faible est la tension effectivement appliquée sur la sortie du circuit intégré. Ainsi, un driver à haute impédance de sortie, programmé pour délivrer 1,2V ne produit que 0,58V sous une charge de 6 ohms. Par contre, un driver à basse impédance de sortie est capable d’atteindre 1,07V dans les mêmes conditions de charge (6 Ω). Concrètement, si on prend un driver à haute impédance standard, pour un courant de forçage de 100 mA, le driver n’est plus assez précis pour tester des logiques 1,2V.A 200 mA, il ne peut plus tester avec précision les technologies 3,3 V. Au-dessus de 300 mA, cette précision devient même insuffisante pour le test de circuits 5 V. A 500 mA, le driver à haute impédance de sortie présente une erreur de plus de 2V. En revanche, le driver à basse impédance de sortie est suffisamment précis pour tester une logique 0,8 V même en présence d’un courant de forçage atteignant 400 mA. Humour ? Si les basses tensions ne sont pas dangereuses pour l’homme,elles peuvent l’être pour les composants. Attention donc à ne pas faire des tests… destructifs ! Eviter de détruire les composants lors du test En raison de la réduction de la taille des composants et de l’abaissement des seuils de tension maximum, les technologies basse tension sont davantage vulnérables à différents types de défaillances. 55 Solutions Des surtensions indésirables • Le testeur fait passer le nœud B à l’état haut pour éviter le chan gement d’état de la sortie de U2 pendant le test de U3. • Du fait de l’activité de la carte (qui est sous tension), le nœud A, qui était à l’état haut, passe à l’état bas, ce qui oblige la sortie du circuit U1 et donc le nœud B, à passer à l’état haut. • Comme ce nœud était déjà en cours de forçage à l’état haut, une pointe de tension survient en B. • Risque possible de dommage pour les composants U1 et U2 et de faux messages d’erreur pour U3. On voit ici les risques de surtension liés à l’utilisation de “drivers”haute impédance,lorsque des sorties changent d’état pendant le forçage. Les composants U1 et U2 risquent d’être endommagés et on peut avoir des doutes quant à la fiabilité du test du composant U3. Claquage de l’oxyde de grille des transistors CMOS. Du fait de l’épaisseur réduite de l’oxyde de grille des transistors, les composants alimentés en basse tension sont fragiles lorsqu’ils sont soumis à des surtensions. Le mécanisme de défaillance est connu sous le nom de TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown, claquage diélectrique dépendant du temps) et résulte d’une interaction entre le temps, la température, la tension et l’épais- seur de l’oxyde de grille. Le claquage d’oxyde de grille risque de se produire lorsqu’une broche de composant se voit appliquer une tension supérieure à son maximum nominal. Par exemple, la tension maximale spécifiée pour le bus FSB/PSB d’Intel est de 1,75 V. Si les broches des composants sur ce bus sont soumises à des tensions supérieures à 1,75 V pendant une durée prolongée, Un testeur étudié pour le test des circuits basse tension Le système de test in-situ TestStation LH annoncé par Teradyne il y a quelques mois a été conçu avec l’idée de tester les technologies à basse tension. Il offre une capacité de 2 048 ou 4 096 points de test, selon les versions. Le constructeur propose des versions non multiplexées (un driver/sensor par point de test) ou multiplexées (1 par 4 ou 1 par 8). Ce testeur possède une instrumentation analogique pour réaliser des mesures d’impédance sur les circuits ouverts, les courtscircuits et les composants passifs (résistances, inductances, condensateurs, etc.). Il réalise aussi des mesures de temps et de fré- 56 quence. Pour le contrôle des circuits numériques, il utilise aussi bien des techniques sans vecteur que des techniques avec vecteurs. Le plus grand soin a été apporté à ce niveau. C’est ainsi que les drivers/sensors ont une impédance de sortie très faible et qu’il est possible de programmer le niveau et la durée des seuils. La précision des sensors est de 45 mV. Ces caractéristiques permettent au testeur de traiter les circuits électroniques basse tension que l’on trouve sur de plus en plus de cartes électroniques. Ce testeur occupe une surface au sol d’à peine 1,1x0,9 m. l’oxyde de grille des transistors s’en trouvera endommagé. La majorité des testeurs in-situ classiques sont conçus de telle façon que les groupes de canaux de test D/S doivent partager les mêmes affectations de niveaux logiques (les canaux étant groupés par 16 ou 32). Cette configuration, certes plus économique, risque toutefois de poser des problèmes lorsque les canaux D/S d’un même groupe sont connectés à des broches de composants fonctionnant sous des tensions différentes. En pareil cas, les programmeurs n’ont d’autre choix que d’affecter le même niveau logique à tous les canaux de test du groupe, au risque d’exposer des broches de composants basse tension à des tensions dépassant leur maximum nominal. Par ailleurs, les risques de surtension sont plus élevés sur des testeurs in-situ employant des drivers à haute impédance de sortie car les programmeurs peuvent augmenter les tensions de test pour tenter de compenser les erreurs de tension constatées en cas de forçage. Des testeurs in-situ plus élaborés évitent ces problèmes potentiels en utilisant des canaux D/S plus précis et des drivers dont les seuils de niveaux logiques peuvent être programmés indépendamment pour chaque canal. Cette capacité de programmation des tests par canal évite les compromis risquant de conduire à appliquer par inadvertance des tensions supérieures aux maxima nominaux. De plus, elle garantit que chaque broche du composant sous test est soumise aux niveaux logiques exacts exigés par ce dernier. Surcharge des diodes de protection ESD. Les circuits intégrés comportent des diodes de protection contre les décharges électrostatiques. Ces diodes sont sensibles aux courants de forçage et claquent si celui-ci dépasse le maximum spécifié. Certains fabricants de composants conseillent de ne pas surcharger les diodes ESD au-delà de 100 mA. Un dépassement de cette limite peut endommager les diodes, ce qui peut passer inaperçu lors du test de la carte (les diodes n’ont aucune incidence sur le fonctionnement du circuit intégré, elles n’ont qu’un rôle de protection). Mais ceci se révélera à l’usage comme étant une source de problème : en effet, les circuits intégrés dont les diodes ESD sont endommagées ne sont plus protégés contre les décharges électrostatiques, ce qui peut dégrader leurs performances et conduire à une panne de la carte. MESURES 758 - OCTOBRE 2003 Solutions Les testeurs in-situ sont, pour la majeure partie d’entre eux, incapables d’identifier et d’éviter les surcharges des diodes ESD. Le Teststation LH de Teradyne offre la capacité de mesurer les courants de forçage en temps réel, d’indiquer où se produit le forçage sur la carte et d’en programmer l’intensité et la durée maximales. Latchup des transistors CMOS. Le Latchup CMOS est une défaillance qui survient lorsqu’une paire de transistors forme une structure PNPN ou NPNP de type thyristor. Il en résulte l’établissement d’un courant élevé, basse impédance, entre l’alimentation et la masse du composant, ce qui peut entraîner son dysfonctionnement, voire sa destruction. Ce phénomène est généralement provoqué par l’application d’une brusque montée ou chute de tension aux entrées du composant CMOS. Cela peut être dû à une décharge électrostatique ou, durant un test in-situ, au changement soudain d’état logique d’une sortie soumise à un forçage. Pour éviter ces pointes de tension potentiellement dangereuses durant un test in-situ numérique, il est nécessaire de recourir à des techniques d’isolation numérique multiniveaux (MLDI, Multi Level Disable Inhibit). Celles-ci permettent de contrôler toutes les sorties d’un nœud et de s’assurer qu’elles sont dans un état connu avant d’y connecter un driver numérique. Certains testeurs in-situ se bornent à isoler les sorties directement reliées aux entrées du composant sous test, mais cela ne suffit pas à prévenir les pointes de tension se produisant sur les équipotentielles qui ne sont pas directement connectées à ce composant. La durée du forçage. Le passage du courant dans un composant soumis à un forçage échauffe sa jonction et ses connexions en sortie. La durée maximale de forçage sans danger pour un circuit intégré est fonction du nombre de broches concernées par le forçage, du niveau de courant, de la durée, du type de boîtier et de la technologie du composant. Un forçage excessivement long risque de causer une défaillance d’une connexion en cas d’élévation de sa température au-delà de son point de fusion ou bien de déclencher sur celle-ci un phénomène de fatigue pouvant ensuite réveiller des défauts latents et entraîner des défaillances prématurées du composant. C’est pourquoi il est essentiel que la durée des tests in-situ soit réduite au minimum dans les cas de forçage. Certains testeurs in-situ sont dotés de contrôleurs numériques spécialisés et de mémoires dédiées à chaque canal, des architectures qui sont très efficaces MESURES 758 - OCTOBRE 2003 Des erreurs de diagnostic • Une faute en U1 (broche d’activation ouverte) cause une situation anormale de forçage • Les seuils de tension ne peuvent plus être atteints au nœud N3. • Le testeur indique que U2, U3 et U4 sont défectueux. • Rien n’indique que le problème est en fait dû au forçage Voici une carte défectueuse (circuit ouvert au niveau de U1) pour laquelle un testeur in-situ traditionnel impute incorrectement la faute à trois composants bons (U2,U3 et U4),tout en laissant passer le véritable problème.Des erreurs de diagnostic de ce genre accroissent les coûts de réparation et entraînent des interventions inutiles qui risquent d’endommager encore davantage la carte pour appliquer des vecteurs de test avec rapidité et précision. Les testeurs in-situ les moins performants rallongent la durée des tests car les vecteurs sont transférés à partir de la mémoire du calculateur durant le test. La précision temporelle de ces testeurs est très imprévisible car elle dépend du type de calculateur utilisé, du volume de données transféré et des autres applications exécutées sur l’ordinateur. Une expérience ayant pour but de mesurer les performances relatives des deux méthodes a montré qu’un testeur dépourvu de contrôleur numérique spécialisé prend 520 fois plus de temps pour exécuter 1000 vecteurs de test qu’un testeur qui en possède un (soit 104 ms contre 0,2 ms). Ce gain de temps permet de moins éprouver les composants durant un forçage et réduit le risque de pointes de tension liées à l’activité sur la carte. Les limites d’un test in-situ classique Il est clair que les testeurs in-situ classiques ne présentent pas la précision, la sûreté et la fiabilité nécessaires pour tester des technologies basse tension. Utiliser malgré tout de tels testeurs ne va pas sans risques. Réduction de la couverture de fautes. Si les canaux D/S (drivers/sensors) de test in-situ ne sont pas assez précis pour piloter et vérifier les broches basse tension, le fabricant de cartes peut renoncer à tester les composants concernés ou bien il doit se replier sur un test hors tension sans vecteurs (test capacitif des circuits ouverts ou de jonction de diode, par exemple). Cette alternative n’offre pas autant d’efficacité que le test à vecteurs numériques car elle ralentit la cadence de test, elle augmente le coût et la complexité des interfaces de test et elle n’est pas en mesure de détecter si on a affaire à une erreur sur un composant (parce que l’on n’a pas mis le bon composant) ou à un composant qui ne fonctionne pas correctement. Augmentation du risque de faux défauts. En raison de l’imprécision des drivers et des sensors des testeurs in-situ classiques et du rétrécissement de la marge d’erreur entre seuils logiques haut et bas, le risque est plus élevé de voir des composants basse tension indûment signalés comme défectueux. Des erreurs de diagnostic de ce genre accroissent les coûts de réparation et entraînent des interventions inutiles qui risquent d’endommager la carte davantage encore. De nouveaux critères de choix pour le test in-situ Les fabricants de cartes désireux de tester avec précision, sécurité et fiabilité les cartes à technologies basse tension doivent se tourner vers des équipements de test in-situ réunis- 57 Solutions Neutraliser les composants En désactivant ou inhibant automatiquement toutes les sorties des composants qui sont connectés aux nœuds pilotés par le système de test, on élimine les problèmes liés au forçage.Encore faut-il que le testeur le permette. sant un certain nombre de caractéristiques. Drivers à basse impédance de sortie et à boucle fermée. Les testeurs in-situ doivent offrir une erreur sur la tension de sortie du driver inférieure à 100 mV et une impédance de sortie inférieure à 1 Ω. Ceci afin de garantir que le driver est capable de tester les technologies basse tension descendant jusqu’à 0,8V et qu’il conserve sa précision aussi bien en l’absence de charge que lors d’un forçage. Sensors à grande résolution. Les testeurs in-situ doivent présenter une erreur de tension en entrée de moins de 100 mV, afin de pouvoir distinguer les niveaux logiques de sortie haut et bas pour les technologies basse tension au-dessous de 1,2V. Un contrôle précis du courant de forçage. Les drivers de test in-situ doivent pouvoir mesurer en temps réel l’intensité et la durée des courants de forçage. Cette capacité permet au testeur d’identifier les situations de test nécessitant des courants de forçage inhabituellement élevés et de mettre en évidence les zones du programme de test où les étapes d’isolation de composants sont absentes ou insuffisantes. Les programmeurs de tests in-situ doivent avoir la possibilité de fixer l’intensité et la durée maximale du courant de forçage autorisé sur chaque broche de composant durant son test. Cela peut servir à protéger les composants sensibles de toute surcharge en présence d’un défaut sur la carte, mais aussi à identifier les fautes qui échappent normalement aux testeurs in-situ classiques (concernant par exemple des broches d’activation défectueuses ou des transistors de sortie marginaux). Affectation des niveaux logiques programmables pour chaque canal.Les canaux D/S (driver/sensor) du testeur in-situ doi- 58 vent être programmables indépendamment, plutôt qu’en groupe, en termes de seuils de niveaux logiques, de limites de forçage et de vitesses de réponse. Cela permet au programmeur comme au logiciel de génération de programmes de test d’affecter des niveaux logiques adaptés à chaque broche du composant et d’éviter les compromis résultant de l’affectation de niveaux logiques communs par le testeur in-situ. Contrôleur numérique et temporisation dédiés. Les testeurs in-situ doivent comporter un contrôleur numérique capable d’exécuter en succession rapide des vecteurs de test numériques, en respectant une temporisation cohérente et reproductible. Les testeurs disposant d’un contrôleur numérique spécialisé accélèrent la cadence des tests numériques, soumettent moins les composants au forçage et présentent une plus grande répétitivité sur le plan des résultats. Isolation numérique multi-niveaux. Enfin, les testeurs in-situ doivent s’accompagner d’un logiciel de génération de programmes de test et d’analyse de circuits qui désactive ou inhibe automatiquement toutes les sorties sur la carte qui sont connectées aux nœuds pilotés par le test. Cette capacité est cruciale pour empêcher des pointes de tension potentiellement dangereuses de se produire lorsqu’une sortie en cours de forçage change soudainement d’état logique. Alan J. Albee Philippe Darbois Teradyne* Teradyne SA* BP54 92700 COLOMBES Tél.: 01 46 13 15 00 - Fax: 01 46 13 15 01 MESURES 758 - OCTOBRE 2003