• Identifier Fs12 sur le schéma structurel de la carte mère. • Choisir

projet baccalauréat 2005
contrôleur ph / conductivité
ETAPE 12 : ANALYSE ET MISE EN ŒUVRE DE LA FONCTION
Durée : 6H
Fs12 : "MÉMORISATION DES PARAMÈTRES DE FONCTIONNEMENT"
Objectif spécifique : l'élève devra être capable de . . .
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Identifier Fs12 sur le schéma structurel de la carte mère.
Choisir un composant afin de répondre au cahier des charges.
Décrire le principe de fonctionnement de la mémoire retenue.
Donner le format utilisé pour la transmission série du mot envoyé.
Valider le fonctionnement de la fonction par l’écriture et la lecture de données en
mémoire.
Effectuer des mesures et juger de la validité des résultats obtenus et des méthodes
employées.
Compétences évaluées :
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D : Identifier à une fonction la ou les structures participant à sa réalisation.
E : Analyser l’organisation structurelle d’une fonction.
H : Produire un dispositif de mesurage et/ou de test.
Pré-requis :
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Dossier :
Ø Présentation et analyse fonctionnelle.
Electronique :
Ø Les différents types de mémoires et leurs applications.
Ø Utilisation du kit 68HC11.
Propositions d'activités :
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Activité A : Décomposition fonctionnelle.
Durée de cette activité : 10 min
Ø Identifier la fonction secondaire Fs12 sur le schéma structurel de la carte
mère.
Ø Caractériser les entrées et les sorties de Fs12 et définir son rôle.
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Activité B: Choix du composant réalisant Fs12 et étude de sa documentation constructeur.
Durée de cette activité : 2 heures 50
Ø D’après l’analyse fonctionnelle, choisir un composant répondant au cahier
des charges de Fs12 à partir des composants suivants :27C16, HT6116,
93C46 et 28C64. Justifier.
Ø Compléter le schéma structurel de Fs12 avec le composant choisi.
Ø Rechercher les caractéristiques de la mémoire retenu (brochage, signification
des broches, consommation maximale, alimentation, format des mots
mémorisés, capacité, nombre de réécriture, …).
Ø Rechercher son principe de fonctionnement et d’utilisation (description des
instructions à envoyer, chronogrammes commentés des signaux échangés lors
des phases d’écriture et de lecture dans la mémoire, …).
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contrôleur ph / conductivité
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Activité C: Mesure des signaux échangés lors des phases d’écriture et de lecture en
mémoire.
Durée de cette activité : 3 heures
Nous travaillerons uniquement sur les valeurs de réglages du seuil pH pour ne
pas effacer les valeurs d’étalonnage déjà mémorisées.
Ø Compléter dans le programme "ecriture_seuil_e.s" la zone « valeurs réglages
seuil pH » (Vseuil, znseuil et sseuil) pour un seuil pH = 10.0 ; une zone
neutre pH de 0.2 et le sens 1.
(voir la partie « fonctionnement du seuil pH » de l’analyse fonctionnelle de FP7 :
“commande pompe”)
Remarques sur la sauvegarde de la valeur du seuil pH (Vseuil), de la zone neutre
(znseuil) et du sens (sseuil) dans la mémoire :
Exemple : seuil pH = 5.0 ð Vseuil = 50 en décimal ð $32 en hexadécimal.
zone neutre pH = 0.5 ð znseuil = 5 en décimal ð $5 en hexadécimal
sens pH = 0 ð sseuil = 0 en décimal ð $0 en hexadécimal
sens pH = 1 ð sseuil = 1 en décimal ð $1 en hexadécimal
Ø Exécuter le programme "ecriture_seuil_e.s" complété et relever en
concordance des temps les signaux memcan, hdata, Din_mem et Dout
échangés lors d’une phase d’écriture en mémoire.
Remarques : ce programme est utilisé pour écrire la valeur du seuil pH (Vseuil),
la valeur de la zone neutre (znseuil) et le sens (sseuil) dans les cases mémoires.
La 1ère pression sur une touche du clavier autorise l’écriture en mémoire, les 3
autres pressions écrivent successivement les valeurs de Vseuil, znseuil et sseuil
en mémoire, puis la 5ème interdit l’écriture en mémoire.
Conseils pour les relevés : Mettre les 4 courbes sur le même oscillogramme pour
cela synchroniser les courbes sur le front montant du signal memcan. Noter le
numéro de l’adresse ainsi que la valeur de la donnée écrite en mémoire lors de
vos relevés. Commenter les oscillogrammes obtenus en faisant apparaître la
signification des bits.
Ø Exécuter le programme "lecture_seuil.s" et relever en concordance des temps
les signaux memcan, hdata, Din_mem et Dout échangés lors d’une phase de
lecture en mémoire.
Remarques : ce programme est utilisé pour lire les données mémorisées (Vseuil,
znseuil et sseuil). Les phases de lecture se succèdent à chaque pression sur
n’importe quel bouton poussoir du clavier.
Conseils pour les relevés : Mettre les 4 courbes sur le même oscillogramme pour
cela synchroniser les courbes sur le front montant du signal memcan. Noter le
numéro de l’adresse ainsi que la valeur de la donnée lue en mémoire lors de vos
relevés. Commenter les oscillogrammes obtenus en faisant apparaître la
signification des bits.
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Moyens mis en œuvre :
• Dossier ressource élève.
• Schéma structurel et implantation de la carte mère.
• Documentations : 27C16, HT6116, 93C46 et 28C64.
• Système Elève : carte mère, carte afficheur - clavier, kit 68HC11.
• Appareillage : alimentation +12V et -12V, oscilloscope à mémoire.
• Programme d’écriture "ecriture_seuil_e.s" et de lecture "lecture_seuil.s" dans une case
mémoire
Eléments attendus dans le dossier de l'élève :
• Activité A :
ü Schéma structurel complété avec identification de Fs12.
• Activité B:
ü Justifications sur le choix du composant répondant au cahier des charges de Fs12.
ü Caractéristiques, principe de fonctionnement et d’utilisation de la mémoire retenu.
• Activité C:
ü Chronogrammes commentés des signaux échangés lors des phases d’écriture et de
lecture en mémoire.
ü Compte rendu d’essai sur le fonctionnement de Fs12.
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