memoires magnetiques a disques rigides
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MEMOIRES MAGNETIQUES A DISQUES RIGIDES PARTIE ELECTRONIQUE Le schéma complet de FP5 est donnée en annexe. Les questions porterons sur la fonction FP5 dont le schéma fonctionnel de degré 2 est présenté ci-dessous : POS ROT CDE MOT M ETTRE EN FORME les signaux des sondes. FS51 CONVERTIR la donnée en tension analogique FS52 CONSIGNE COURANT IMG ROT REALISER LES COMMANDES des courants dans les phases du moteur FS53 SIGNAUX DE COMMANDE INTERFACER en puissance PUI MOT FS54 FP5 FS51 METTRE EN FORME les signaux des sondes. Rôle : Permet d’adapter les signaux issues des sondes intégrées dans le moteur à une tension compatible avec les circuits numériques. Entrées : POS ROT : signaux électrique informant sur la position du rotor. Ce sont des capteurs à effet hall qui délivrent une tension permettant de connaître la position du rotor. Sorties : IMG ROT : signaux à l’images de la position du rotor mis en forme pour la fonction FP2 I – ETUDE DE FS51 (Mettre en forme ) R4 Les signaux délivrés par les capteurs à effet hall doivent être mis en forme afin d’obtenir des signaux compatibles avec le dispositif de commutation des phases. On donne ci-dessous le schéma structurel de cette fonction FS51, pour une sonde : Vcc Vcc=5V IC1 IC1 : LM339 Alim ± 12V (voir annexe) ∞ R1 : 1KΩ R2 : 100KΩ R3 Ve R3 : 3KΩ R1 + Vb R4 : 1,2KΩ R2 Ve: associé à POS ROT Vs Vb: associé à IMG ROT Impédance d’entrée de FP2 infini. Remarque : la sortie du comparateur de tension LM339 est à collecteur ouvert, comme le montre le symbole sur le schéma structurel. L’émetteur du transistor de sortie est connecté à la broche d’alimentation négative (broche 12). Suivant l’état de ce transistor de sortie, on peut donc mettre le schéma partiel sous la forme des schémas équivalents suivants : Partie électronique -Mémoire magnétiques à disques rigides – Baccalauréat Génie électronique 1991 Numérisation G. D’Aquino 1 Transistor de sortie du LM339 à l’état bloqué : Transistor de sortie du LM339 à l’état saturé : Vcc Vcc R4 R4 R1 R2 V+ R1 R3 Vs Vb R2 V+ R3 Vs Vb -12V Questions : Q-I-1Pour les 2 états du transistor de sortie (interne au LM339), c’est à dire saturé puis bloqué, exprimer littéralement puis calculer les tension V+, Vs, Vb. To Bloqué To saturé QI-2En déduire les caractéristiques de transfert Vb=f(Ve) du montage trigger ainsi constitué. QI-3Appliquer les résultats précédents en complétant les chronogrammes en feuille réponse 1. Les tensions Ve1 et Ve2 correspondent aux sorties des deux sondes à effet hall et les tension Vb1 et Vb2 aux sorties de la fonction secondaire FS51. Partie électronique -Mémoire magnétiques à disques rigides – Baccalauréat Génie électronique 1991 Numérisation G. D’Aquino 2 II – Etude de FS52 (CNA) La fonction principale FP9 agit sur la vitesse du moteur en délivrant une information de commande, sous la forme d’un mot binaire de 8 bits. Cette information doit être convertie en une tension analogique, nécessaire à l’interface de commande des courants dans les phases du moteur (FS53). On donne ci-dessous le schéma structurel de cette fonction : } WR WR # /∩ ∩ R7 IC4 Is Is + IC3 O1 - O2 ∞ + ∞ + Ucc Uc CS IC2 : AD7524 Rfb : 10KΩ IC3 : TL081 IC4 : TL081 R6 : 10KΩ R7 : 20KΩ R8 : 20KΩ - R6 R8 CDE MOT D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 Rfb D[0…7] IC2 Vref Vref P +12V FS52 Questions : Q-II-1Exprimer littéralement puis numériquement la tension Ucc en fonction de Uc et de Vréf (dans les applications numériques on supposera Vréf réglé à 10V). ………………………………………………………..………………………………………………………..… ……………………………………………………..………………………………………………………..…… …………………………………………………..………………………………………………………..……… ………………………………………………..………………………………………………………..………… ……………………………………………..………………………………………………………..…………… …………………………………………..………………………………………………………..……………… ………………………………………..………………………………………………………..………………… ……………………………………..………………………………………………………..…………………… …………………………………..………………………………………………………..……………………… ………………………………..………………………………………………………..………………………… Q-II-2Exprimer littéralement puis numériquement la tension Uc puis Ucc en fonction de Is (Is supposé continu constant). ……………………………………………..………………………………………………………..…………… …………………………………………..………………………………………………………..……………… ………………………………………..………………………………………………………..………………… ……………………………………..………………………………………………………..…………………… …………………………………..………………………………………………………..……………………… ………………………………..………………………………………………………..………………………… ……………………………..…………………………………………………………………………………….. Q-II-3Partie électronique -Mémoire magnétiques à disques rigides – Baccalauréat Génie électronique 1991 Numérisation G. D’Aquino 3 Sachant que Is à pour expression : Vréf D7 D6 + 1 +...+ D70 4 0 10 2 2 2 Calculer la valeur de la tension Ucc pour les différentes combinaisons binaires suivantes : Is = [D 7 …D0 ] = [10000000] [D 7 …D0 ] = [00000001] [D 7 …D0 ] = [11110000] III – ETUDE DE FS53 Réaliser les commandes Les phases du moteur sont alimentées deux par deux et successivement, par des courants constants bipolaires (pouvant être positifs et négatifs) dont le module dépend de la tension Ucc. Pour une position donnée du rotor, les deux phases à alimenter sont déterminées par les signaux issus des sondes à effet Hall (signaux mis en forme par la fonction FS51) ainsi que par une information binaire de signe S fournie par la fonction principale FP9. Partie électronique -Mémoire magnétiques à disques rigides – Baccalauréat Génie électronique 1991 Numérisation G. D’Aquino 4 On donne ci-dessous le schéma structurel : Vcc R & { =1 C 0 2 IMG ROT =1 A {B CL4 EN BIN/OCT CDE S MOT DG201 EN } G 07 0 1 2 3 4 5 6 7 1 ∩ CB4 CL1 EN 1 D ∩ CB1 CL3 EN 1 R9 Ucc CB3 IC3 ∞ + + R10 - ∩ EN 1 R11 R12 Image courant Rs CL2 Signaux de commandes Binaires (CB)et Linéaires (CL) ∩ CB2 74LS07 Iphase moteur QIII-1Etablir la table de vérité donnant les états logiques des signaux binaires repérés C, D, CB1, CB2, CB3 et CB4, en fonction des états logiques de S, A et B. S 0 0 0 0 1 1 1 1 A 0 0 1 1 0 0 1 1 B 0 1 0 1 0 1 0 1 C D CB1 CB2 CB3 CB4 Partie électronique -Mémoire magnétiques à disques rigides – Baccalauréat Génie électronique 1991 Numérisation G. D’Aquino 5 QIII-2Compléter les chronogrammes en feuille réponse 2. Donner le contenu de la PROM destinée à faire la synthèse des signaux binaires CB1…CB4 à partir des signaux A,B et S. Pour cela compléter le tableau pour obtenir les états logiques souhaité en sorties CB1, CB2, CB3 et CB4 quelque soit l’état logique imposé sur l’entrée d’adresse de poids 8. Pour étudier les commandes en courant, il faut tenir compte de certains éléments de la fonction secondaire FS54. Nous étudierons pour exemple l’alimentation de la phase 1 par un courant positif. Va=+24V FS53 3 R9 Ucc IC3 R10 - ∩ Vsa T1 DG201 T’1 IP CL1 Vgs EN R13 R14 ∞ + + 1 V’gs T’1 FS R11 R12 1 CB1 IC3 : TLO81 R9 : 10KΩ R10 : 10KΩ R11 : 10KΩ R12 : 10KΩ R13 : 10KΩ R14 : 47KΩ 74LS07 Image courant Rs 0 logique IP Transistor MOS canal N g d gate Vgs Id drain Vgs Vds Ig=0 d s source Schéma équivalent Régime sensiblement linéaire s Vds Avec Id= ξ Vgs ξ coefficient constant égal 2A/V Is=Id En ce qui concerne les transistors MOS canal P toutes les grandeurs ont des polarités inverses Partie électronique -Mémoire magnétiques à disques rigides – Baccalauréat Génie électronique 1991 Numérisation G. D’Aquino 6 QIII-3Exprimer littéralement puis calculer la tension V’gs (le courant Ip étant toujours inférieur à 7A). Conclure sur l’état du transistor T’1 et sur son rôle. QIII-4Justifié l’utilisation des cellules logique matérialisées par le circuit intégré 75LS07). QIII-5Exprimer littéralement puis numériquement Vsa en fonction de Ucc et de Ip.. Faire de même pour Ip en fonction de Vsa. En déduire l’expression littérale puis numérique de Ip en fonction de Ucc. QIII-6Entre quelles limites de courant Ip pourra-t-il varier ? Partie électronique -Mémoire magnétiques à disques rigides – Baccalauréat Génie électronique 1991 Numérisation G. D’Aquino 7