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Le premier SSD avec la technologie VNAND 3D
Capacité
128 Go
256 Go
512 Go
1 T0
Basic Kit
MZ-7KE128BW
MZ-7KE256BW
MZ-7KE512BW
MZ-7KE1T0BW
EAN
8806086338110
8806086338127
8806086338134
8806086338141
Stockage
Disponible
Juillet 2014
Caractéristiques principales
Format
Utilisation
Interface
Capacités
Mémoire
NAND FLASH Memory
Controller
Fiabilité (MTBF)
Endurance (TBW)
Dimensions (LxPxH)
Poids net
Garantie
Sécurité
Technologie V-NAND 3D
2,5’’
PC
SATA 6.0 Gbps
128 Go / 256 Go / 512 Go / 1T0
DDR3 1600 MHz 4GB
Samsung 32 Layer 3D V-NAND
Samsung 3-Core MEX Controller
2 million heures
150 TBW
100x69,85x6,8 (mm)
Max 66g (1T0)
10 ans
AES 256 bits (FDE : Full Disk Encryption)
TGC/Opal V2.0, Encrypted drive
(IEEE1667)
Performances
Lecture séquentielle
128
256
512
1024
Go
Go
Go
Go
550
550
550
550
Mo/s
Mo/s
Mo/s
Mo/s
Ecriture séquentielle
128
256
512
1024
Go
Go
Go
Go
470
520
520
520
Mo/s
Mo/s
Mo/s
Mo/s
Lecture aléatoire
(4 KB / QD 32)
128
256
512
1024
Go
Go
Go
Go
100
100
100
100
Cette technologie est basée sur une architecture 3D composée de 32 couches
verticales de cellules pour doubler la capacité de ses disques durs. Elle permet
d’obtenir une plus grande capacité de stockage pour la même finesse de gravure
sur des puces à la taille optimisée, mais aussi de limiter les pertes d’efficacité.
Elle apporte également des améliorations significatives en termes de vitesse
(x2), d’endurance (150 TBW) et d’efficacité énergétique (40% en moins)
Une meilleure endurance
Ce nouveau SSD apporte des améliorations significatives en termes d’endurance
et de fiabilité. LA technologie V-NAND est conçue pour gérer une charge de
travail quotidienne de 40 Go, ce qui équivaut à 150 TBW, vous permettant
d’utiliser le SSD pour de longues périodes de travail. De plus il est livré avec le
haut niveau de garantie, soit 10 ans.
000 IOPS
000 IOPS
000 IOPS
000 IOPS
Ecriture aléatoire
128 Go
90 000 IOPS
(4 KB / QD 32)
256 Go
90 000 IOPS
Des Performances Ultimes
512 Go
1024 Go
90 000 IOPS
90 000 IOPS
Propulsé par la technologie V-NAND 3D, ce SSD offre le summum en lecture et
en écriture dans les 2 aspects séquentiels et aléatoires.
En lecture séquentielle, il atteint les 550 Mb/s et 520 Mb/s en vitesse d’écriture.
Consommations
En marche
En veille
Norme S.M.A.R.T
Commande TRIM
Garbage Collection
Humidité
Température en fonctionnement
Température à l’arrêt
Vibration
Choc
Lecture 3,3 Watt / Ecriture 3,0 Watt
0,4 Watt
Oui
Oui
Oui
5%˜95% sans condensation
0°C˜70°C
-45°C˜85°C
20˜2000 Hz, 20 G
1500 G
Contenu
Basic Kit
Passez à la vitesse supérieure avec le mode rapide renforcé. Il permet d’utiliser
la mémoire vive de l’ordinateur comme cache. Cela permet d’augmenter les
performances surtout en écriture. L’activation de ce mode requiert l’installation
de l’utilitaire Samsung Magician.
Faible consommation
1 SSD + 1 Garantie
Travaillez plus longtemps avec l’innovation. Une consommation en veille de
2mW, et une consommation à l’usage de 3,3 watts en lecture et de 3 watts en
écriture.
Basic kit
*IOPS : Input-Output Operation per second
*MTBF : Mean Time Between Failures : indique la fiabilité d’un produit ou d’un système
* S.M.A.R.T : Self-Monitoring Analysis and Reporting Technology, fonction destinée à améliorer la fiabilité et à prévenir les pannes
Dernière mise à jour le 2 mai 2014