Téléchargement

Stockage
Disponible
Capacité
128 Go
256 Go
512 Go
1 To
2 To
Ba sic Ki t
MZ-7KE128BW
MZ-7KE256BW
MZ-7KE512BW
MZ-7KE1T0BW
MZ-7KE2T0BW
8806086264617
8806086264631
8806086264648
8806086264679
8806086860987
EAN
Octobre 2014
Samsung SSD 850 PRO
Caractéristiques principales
Technologie V-NAND 3D
Format
Utilisation
Interface
Cette technologie est basée s ur une a rchitecture 3D composée de 32 couches
verti cales de cellules pour doubler la ca pacité de s es disques durs. Elle permet
d’obtenir une plus grande ca pacité de stockage pour la même finesse de gravure
s ur des puces à l a taille optimisée, mais aussi de limiter les pertes d’efficacité.
El l e apporte également des améliorations significatives en termes de vi tesse
(x2), d’endurance (150 TBW) et d’efficacité énergétique (40% en moins)
Capacités
Mémoire DRAM
NAND FLASH Memory
Controller
Fiabilité (MTBF)
Dimensions (LxPxH)
Poids net
Garantie
Sécurité
2,5’’
PC
SATA 6.0 Gbps
128 Go / 256 Go / 512 Go / 1To (1024Go) /
2 To (2048Go)
256 Mo (128 Go) , 512 Mo (256 Go & 512 Go), 1
Go LPDDR2 (1 To), 2 Go LPDDR3 (2To)
Samsung 32 Layer 3D V-NAND 2 bit MLC
128 Go, 256 Go, 512 Go, 1 To : Samsung MEX
Controller
2 To : Samsung MHX Controller
2 million heures
100x69,85x6,8 (mm)
Max 66g
10 ans
AES 256 bits (FDE Full Disk Encryption)
TGC/Opal V2.0, Encrypted drive (IEEE1667)
Performances
Lecture séquentielle
128 Go
256 Go
512 Go
1024 Go
2048 Go
550 Mo/s
550 Mo/s
550 Mo/s
550 Mo/s
550 Mo/s
Ecriture séquentielle
128 Go
256 Go
512 Go
1024 Go
2048 Go
470 Mo/s
520 Mo/s
520 Mo/s
520 Mo/s
520 Mo/s
Lecture aléatoire
(4 KB / QD 32)
128 Go
256 Go
512 Go
1024 Go
2048 Go
100 000 IOPS
100 000 IOPS
100 000 IOPS
100 000 IOPS
100 000 IOPS
128 Go
256 Go
512 Go
1024 Go
2048 Go
90 000 IOPS
90 000 IOPS
90 000 IOPS
90 000 IOPS
90 000 IOPS
Ecriture aléatoire
(4 KB / QD 32)
Consommations
En marche
En veille
Norme S.M.A.R.T
Commande TRIM
Garbage Collection
Humidité
Température en fonctionnement
Température à l’arrêt
Vibration
Choc
Voltage
Lecture max : 3,3 Wat (2To) / Ecriture max
3,4 Watt (2To)
5 mWatt
Oui
Oui
Oui
5%˜95% sans condensation
0°C˜70°C
-45°C˜85°C
20˜2000 Hz, 20 G
1500 G
5V ± 5%
Contenu
Basic Kit
1 SSD + 1 Garantie
Une meilleure endurance
Ce nouveau SSD a pporte des a méliorations significatives en termes d’endurance
et de fiabilité. LA technologie V-NAND est conçue pour gérer une charge de
tra va il quotidienne de 40 Go, ce qui équivaut à 150 TBW, vous permettant
d’utiliser l e SSD pour de l ongues périodes de travail. De plus il est livré avec le
ha ut niveau de garantie, s oit 10 ans.
Des Performances Ultimes
Propulsé par la technologie V-NAND 3D, ce SSD offre l e summum en lecture et
en écriture dans l es 2 a spects séquentiels et aléatoires.
En l ecture séquentielle, il atteint les 550 Mb/s et 520 Mb/s en vitesse d’écriture.
Pa s sez à la vitesse supérieure avec l e mode rapide renforcé. Il permet d’utiliser
l a mémoire vive de l’ordinateur comme cache. Cela permet d’augmenter l es
performances s urtout en écriture. L’activation de ce mode requiert l ’installation
de l ’utilitaire Samsung Magician.
Faible consommation
Tra va illez plus longtemps avec l ’innovation. Une consommation en veille de
5mW, et une consommation à l ’usage de 3,3 watts en lecture et de 3 ,4watts en
écri ture.
Basic kit
*IOPS : Input-Output Operation per second
*MTBF : Mean Time Between Failures : indique la fiabilité d’un produit ou d’un système
* S.M.A.R.T : Self-Monitoring Analysis and Reporting Technology, fonction destinée à améliorer la fiabilité et à prévenir les pannes
Dernière mise à jour le 1 juillet 2015