microscope confocal lext
Transcription
microscope confocal lext
MICROSCOPE CONFOCAL LEXT Le microscope confocal permet de mesurer les épaisseurs de couches transparentes et d’imager en 3D des composants. CARACTERISTIQUES PRINCIPALES y y y Objectifs : x5, x10, x20, x50 et x100. Zoom optique x1-x6 Lumière blanche (Microscope 2D) ou diode laser à 408nm. (Confocal Image 3D). y y Résolution en z : 10nm (pas minimum entre deux plan confocaux mesurés) Résolution latérale : dépend de l’objectif PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT La microscopie confocal permet de reconstruire une image 3D d’un composant en mesurant l’intensité réfléchie par ce dernier au niveau du plan focal. La présence d’un diaphragme au niveau du point objet permet de s’affranchir de la profondeur de champ de l’objectif et de ne sélectionner qu plan à chaque mesure. L’obtention d’un profil d’intensité réfléchie pour des matériaux transparents permet de déterminer l’épaisseur de chaque couche grâce à l’identification des différentes interfaces. EXEMPLES DE REALISATIONS Image 3D d’un réseau GaAlAs obtenus par épitaxie Profil du Si après gravure profonde RIE CONTACTS Christina Villeneuve : [email protected] Fabien Mesnilgrente : [email protected] Véronique Conédéra : [email protected] ENGLISH VERSION→ CONFOCAL MICROSCOPY LEXT Confocal microscopy permits to measurement thickness of transparent material and 3D pictures of components. MAIN CHARACTERISTICS y y y Objectives : x5, x10, x20, x50 et x100. Optical zoom x1-x6 White light (Microscope 2D) or laser diode at 408nm. (Confocal 3D picture). y y Z resolution : 10nm (minimal step between two confocal plane) Lateral resolution : depend on objective OPERATIONS In confocal microscopy light scattered on sample surface is recorded for each confocal plane. Pinhole is placed at object point to avoid field of view effect. Scattered light evolution versus height z permits to determine transparent film thickness and drawn a 3D picture of components. REALIZATION EXAMPLES 3D picture of GaAlAs network obtained by epitaxy 3D picture of Si profile after Deep Reactive Ion Etching CONTACTS Christina Villeneuve : [email protected] Fabien Mesnilgrente : [email protected] Véronique Conédéra : [email protected] VERSION FRANCAISE→