FP25R12KE3 Data Sheet

Transcription

TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
EconoPIM™2mitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode
EconoPIM™2withtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
25
40
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
50
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Ptot
155
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 25 A, VGE = 15 V
IC = 25 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
V
1200
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,70
2,00
2,15
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,24
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
8,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,80
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Cres
0,064
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,09
0,09
µs
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,03
0,05
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,42
0,52
µs
µs
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,07
0,09
µs
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 1000 A/µs
RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
1,90
2,80
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs
RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
1,75
2,40
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,32
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS
revision:3.2
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
100
A
0,80 K/W
K/W
125
°C
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1200
V
IF
25
A
IFRM
50
A
I²t
170
A²s
min.
typ.
max.
1,65
1,65
2,15
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 25 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IRM
26,0
24,0
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Qr
2,80
5,00
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec
1,00
2,00
mJ
mJ
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH
0,535
Tvj op
-40
proDiode/perdiode
VF
V
V
1,35 K/W
K/W
125
°C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
Tvj = 25°C
VRRM 1600
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM 50
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM 60
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
450
370
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
1000
685
A²s
A²s
min.
typ.
max.
VF
0,90
V
IR
1,00
mA
RthJC
RthCH
0,36
Tvj op
-40
preparedby:AS
approvedby:RS
revision:3.2
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 25 A
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
proDiode/perdiode
2
0,90 K/W
K/W
150
°C
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
15
25
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
30
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Ptot
105
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
min.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 15 A, VGE = 15 V
IC = 15 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
V
1200
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,70
2,00
2,15
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,15
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Cies
1,10
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Cres
0,04
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,09
0,09
µs
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,03
0,05
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,42
0,52
µs
µs
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,07
0,09
µs
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGon = 75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
1,50
2,10
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 75 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
1,10
1,50
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
proIGBT/perIGBT
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH
0,475
Tvj op
-40
preparedby:AS
approvedby:RS
revision:3.2
3
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
60
A
1,20 K/W
K/W
125
°C
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1200
V
IF
10
A
IFRM
20
A
I²t
20,0
A²s
min.
typ.
max.
1,80
1,85
2,25
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IRM
14,0
15,0
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Qr
1,00
1,80
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec
0,26
0,56
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
RthCH
0,915
Tvj op
-40
125
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
VF
V
V
2,30 K/W
K/W
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:AS
approvedby:RS
revision:3.2
4
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke
Creepagedistance
VISOL 2,5
kV
Cu
Al203
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
7,5
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
min.
typ.
RthCH
0,02
LsCE
60
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
4,00
3,00
mΩ
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Gleichrichter/rectifier
Tvj max
150
150
°C
°C
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Gleichrichter/rectifier
Tvj op
-40
-40
125
150
°C
°C
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
125
°C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
Gewicht
Weight
G
180
g
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur
Maximumjunctiontemperature
bei Betrieb mit Vge = 0V/+15V empfehlen wir einen Rgon,min von 36 Ohm und eine Rgoff,min von 36 Ohm (siehe AN 2006-01)
for operation with Vge= 0V/+15V we recommend a Rgon,min of 36 ohms and a Rgoff,min of 36 ohms (see AN 2006-01)
preparedby:AS
approvedby:RS
revision:3.2
5
max.
K/W
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
50
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
40
40
35
35
30
30
25
20
15
15
10
10
5
5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
40
45
50
11
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
45
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
10
9
40
8
35
7
E [mJ]
30
25
20
6
5
4
15
3
10
2
5
0
0,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=18Ω,RGoff=18Ω,VCE=600V
50
IC [A]
25
20
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
45
IC [A]
IC [A]
45
1
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:AS
approvedby:RS
revision:3.2
6
0
5
10
15
20
25 30
IC [A]
35
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=25A,VCE=600V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
5,0
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
4,5
ZthJC : IGBT
4,0
3,5
ZthJC [K/W]
E [mJ]
3,0
2,5
2,0
0,1
1,5
1,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,09025 0,3612 0,2031 0,1403
τi[s]:
0,002345 0,0282 0,1128 0,282
0,5
0,0
0
10
20
30
40
RG [Ω]
50
60
0,01
0,001
70
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=18Ω,Tvj=125°C
55
IC, Modul
IC, Chip
50
1
10
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
45
40
40
35
35
30
30
IF [A]
IC [A]
0,1
t [s]
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
45
25
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0
0,01
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:AS
approvedby:RS
revision:3.2
7
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=18Ω,VCE=600V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=25A,VCE=600V
3,0
3,0
Erec, Tvj = 125°C
2,5
2,5
2,0
2,0
E [mJ]
E [mJ]
Erec, Tvj = 125°C
1,5
1,5
1,0
1,0
0,5
0,5
0,0
0
5
10
15
20
25 30
IF [A]
35
40
45
0,0
50
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0
10
20
30
40
RG [Ω]
50
60
70
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
10
50
ZthJC : Diode
45
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
40
35
1
IF [A]
ZthJC [K/W]
30
25
20
0,1
15
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,1375
0,888
0,2558 0,08101
τi[s]:
0,003333 0,03429 0,1294 0,7662
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
5
0
10
preparedby:AS
approvedby:RS
revision:3.2
8
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2
VF [V]
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
30
30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
25
25
20
20
IF [A]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:AS
approvedby:RS
revision:3.2
9
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VF [V]
2,5
3,0
3,5
IGBT-Module
IGBT-modules
FP25R12KE3
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
preparedby:AS
approvedby:RS
revision:3.2
10
IGBT-Module
IGBT-modules
FP25R12KE3
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:AS
approvedby:RS
revision:3.2
11

FP25R12KE3 Data Sheet

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