PROFIL de poste IGR, BAP B, B1F26 - Groupe d`Etude de la Matière

PROFIL de poste IGR, BAP B, B1F26:
"Elaboration par EPVOM (MOCVD) de couches minces et nanostructures
semiconductrices"
BAP B : Sciences Chimiques Sciences des Matériaux (SCSM)
Famille professionnelle F.
Poste IGR B1F26 : ingénieur de recherche en élaboration, mise en forme, traitement
et contrôle des matériaux.
Affectation :
Laboratoire : Groupe d’Etude de la Matière Condensée (GEMaC), Unité Mixte de
Recherche CNRS-Université de Versailles-St Quentin
Code laboratoire : UMR 8635
Directeur : Pierre Galtier
Lieu d’affectation : Meudon/Versailles
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Mission :
Au sein de la plateforme de croissance des matériaux du GEMAC, l'ingénieur
conçoit et développe les techniques et les procédés de croissance par EPVOM
(Epitaxie en Phase Vapeur par décomposition d'Organo-Métalliques, MOCVD en
anglais), permettant la réalisation de d'hétéro- et nano- structures semiconductrices
de type II-VI (notamment à base d'oxyde de zinc ZnO et de ses alliages).
Tendances d'évolution :
Implication croissante dans des projets de recherches nationaux ou
internationaux, ainsi que dans la diffusion et la valorisation des résultats.
Activités :
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Maintien et développement du savoir-faire du laboratoire en EPVOM (MOCVD):
conception de nouveaux réacteurs de croissance, modification de panneaux de
gaz pour les applications requises. L'ingénieur s'appuiera notamment sur un
logiciel de simulation numérique des flux gazeux du type CFD-ACE, Fluent ou
COMSOL
Gestion de deux bâtis EPVOM (MOCVD); organisation des interventions
d'entretien et de maintenance
Développement de procédés de croissance de couches minces à base de
semiconducteurs II-VI type Zn(M)O, M= Mg, Cd, Ca, Sr…
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Développement, mise au point des procédés spécifiques de la croissance de
hétérostructures 1D du type nano-fils, nano-tubes…
Synthèse et interprétation des résultats de caractérisation structurales, optiques,
et électriques.
Gestion des demandes externes, relation avec les laboratoires extérieurs pour la
fourniture d'échantillons
Compétences :
Générales
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Bases de chimie, compréhension des mécanismes de l'élaboration par EPVOM
(MOCVD).
Physico-chimie de la matière condensée et propriétés semiconductrices. Une
expérience de la croissance et de la caractérisation de nano-fils semiconducteurs
sera appréciée.
Connaissance des principes de caractérisation des films minces (diffraction X,
microscopie à balayage, mesures optiques, électriques…)
Une première expérience de la simulation numérique de l'hydrodynamique dans
un réacteur EPVOM (MOCVD) sera appréciée.
Environnement du travail
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Connaissance des risques chimiques et de la sécurité liés aux techniques de
croissance par CVD
Bonne vision de la communauté scientifique impliquée dans la croissance
EPVOM (MOCVD), ainsi que des fournisseurs de matériels et équipements.
Opérationnelles
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Forte autonomie et excellente aptitude au travail expérimental d'élaboration par
EPVOM (MOCVD).
Expertise matérielle d'une machine EPVOM (MOCVD) (régulation des flux
gazeux, températures et pressions) permettant un diagnostic rapide en cas de
dysfonctionnement. Une première expérience de l'assemblage et de l'intégration
de lignes de gaz, utilisant les technologies du vide, sera appréciée.
Linguistiques
Compétences requises en anglais pour la valorisation des résultats (rapports,
publications) et les relations avec les laboratoires étrangers.