docLe transistor MOSFET
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Le transistor MOSFET
Le transistor MOSFET 4 grands types de transistors MOS : Normally ON NMOS, Normally ON Normally OFF NMOS, Normally OFF NMOS PMOS, Normally ON PMOS PMOS, Normally OFF Structure d’un transistor MOS : Source Grille Drain Métal N Oxyde P Substrat N Caractéristique IDS = f(VDS), paramétrée par VGS Zone de pincement : saturation du courant IDS Pas de pincement du canal : zone ohmique (linéaire) VGS>VT VGS<VT Etat bloqué VDS Caractéristique IDS = f(VDS), paramétrée par VGS IDS indépendant de VDS S IDS D S RDSon = D 1 VGS>VT K (VGS − VT ) VGS<VT VDS Source Drain Caractéristique réelle (2N7000) Caractéristique IDS = f(VGS), dans la zone de pincement IDS I DS = I DSS VT VGS VGS 1 − VT 2 IDS NMOS, Normally OFF IDS VGS>VT VGS<VT VT VDS NMOS, Normally ON VGS IDS IDS VGS=0 VGS<VT VDS VT<0 VGS IDS PMOS, Normally OFF VT<0 VGS>VT VDS VGS>VT VGS=0 VGS IDS IDS PMOS, Normally ON IDS VT>0 VDS VGS Caractéristiques réelles : variations en fonction de la température RDSon(T) gm(T) Caractéristiques réelles : rDS dans la zone de pincement D S IDS VGS>VT VGS<VT VDS Aire de sécurité : Polarisation d'un transistor NMOS Normally OFF IDS IDS Droite de charge statique Droite d'attaque IDS0 IDS0 VGS=0 VDS VGS0 VGS VDS0 Régime dynamique Droite de charge dynamique IDS VGS>VT Droite de charge statique VT VGS VDS Régime dynamique : utilité de la droite de charge dynamique VGS>VT ∆IDS < ∆IDS MAX : pas de déformation IDS ∆IDS MAX VDS Régime dynamique : utilité de la droite de charge dynamique VGS>VT IDS ∆IDS MAX VDS ∆IDS > ∆IDS MAX : perte de linéarité Régime dynamique : utilité de la droite de charge dynamique VGS>VT IDS ∆IDS MAX VDS Point de polarisation au milieu de la DDC dynamique : optimisation du ∆IDS MAX Le transistor JFET (Junction Field Effect Transistor) Caractéristiques d’un JFET canal N Exemple de rDSON pour un JFET canal N Zone ohmique Le transistor bipolaire Caractéristiques d’un transistor NPN dVBE/dT fonction de Ic Variations du gain en courant β=hFE
