EDS-2016 International Conference on Extended Defects in

EDS2016
EDS-2016
InternationalConferenceon
ExtendedDefectsinSemiconductors
Nature
Langage
Lieu
Porteur(s)
aveccourriel
Laboratoire(s)NEXT
impliqué(s)
Dates
LienURL
ConférenceInternationale
Anglais
Nbdeparticipants
attendu
100
CentreTouristraLaGaillarde/LesIssambres/France
GabrielleREGULA [email protected]
[email protected]
CEMES
25-29septembre2016
http://eds2016.sciencesconf.org/
ObjetdelaConférence
Contexte
Cette édition d'EDS (Extended Defects in Semiconductors) sera la 18ème de la série, à la suite de
celle tenue il y a deux ans (14 Septembre au 19, 2014) à l'Université Georg-August de Göttingen, en
Allemagne (http://www.uni-goettingen.de/en/476620.html).
La série de conférence biennale EDS sur les défauts étendus dans les semi-conducteurs a commencé à
Hünfeld, Allemagne, en 1978. Les réunions suivantes ont eu lieu en France, Grèce, Grande-Bretagne,
Allemagne, Italie, Pologne et Russie.
Thèmes:
Les semi-conducteurs sont devenus une des pierres angulaires de l'économie moderne, et le restera à
l'avenir, avec des applications multiples dans la production, la conversion et le stockage de l'énergie,
ainsi que dans les domaines de l'éclairage, du traitement et de la transmission de données.
Le développement de ces technologies repose à la fois sur l'amélioration des technologies existantes
(basées sur le Silicium majoritairement) mais aussi sur le développement de nouveaux matériaux tels que
les diodes GaN (laser et LED), le diamant ou le SiC (Systèmes électroniques de puissance), les matériaux
III -V et II-VI (composants opto-électroniques) ainsi que le graphène, et les nouveaux matériaux 2D
(semi-conducteurs de prochaine génération ...).
Un des facteurs clés dans l'établissement ou non d'un tel développement est la capacité de produire des
substrats ou des structures sans défaut pour les rendre compatibles avec les technologies de production à
grande échelle.
Le but de la conférence EDS est de réunir des experts en recherche fondamentale et appliquée pour
établir un état de l'art des études sur les défauts et les microstructures dans les semi-conducteurs de tous
types. Cette évaluation se fera à la fois à travers les points de vue des techniques de caractérisation (XRay, transmission et à balayage microscopie électronique, microscopie ionique, Infra-Rouge microscopie,
les neutrons ... ..), des méthodes de simulation (Molecular Dynamics, ab initio, Eléments Finis ...) et des
approches théoriques.
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