AZ P4903 Exemples de procédés

Exemple de procédé utilisant la photorésine AZ P4903
Description de la résine: Résine photosensible positive de viscosité élevée pour plage d’épaisseur de quelques
microns à quelques dizaines de microns. Possibilité de double couche. Moins cher que la AZ9245, mais profils
moins abrupts que celle-ci.
Quelques applications testées :
-protection pour gravure prolongée au plasma contenant un peu d’oxygène (ex : gravure du silicium
avec l’ASE)
- couche adhésive entre un support mécanique (ex : substrat de 100mm de diamètre) et un échantillon
(pour gravure complète ou amincissement d’échantillon à l’ASE par exemple, quand on ne peut pas prendre de
graisse thermique)
Caractéristiques standard des procédés:
PEB non requis
EBR recommandé (AZ EBR)
Développement avec AZ400K : H20 1 :4 e rinçage à l’eau
Exemple 1: (Pour environ 9um d’épaisseur après développement)
Note : Utiliser la tournette Solitec pour faire le EBR par rotation sur des tranches circulaires
1) Étuvage pour déshydratation 30 min 125°C au four ou sur plaque chauffante 5-10min. Laisser refroidir un peu
avant de poursuivre.
2) Dépôt statique de AZP4903 avec pipette à large buse
3) Étalement lent à 300-500 rpm durant 5s
4) Étalement rapide à 4000 rpm durant 60s
5) Avec rotation lente à 500 rpm, avec pipette à petite buse, faire couler du AZ EBR sur le périmètre d’une
tranche, durant 10s.
6) Faire sécher par rotation un peu plus rapide à 1000rpm durant 10 sec.
7) Cuisson douce sur plaque chauffante durant 3 min à 110°C
8) Exposition sur aligneuse à contact (Kasper, masque à très gros motifs, 90s à 5.1mW/cm2)
9) Développement par immersion dans AZ400K:H2O (1:4) Durant 4-5 min avec agitation moyenne. Prolonger le
temps de développement si nécessaire pour dégager la surface exposée (e.g. si agitation insuffisante, saturation
du développeur, résine non uniforme, etc.)
10) Rinçage dans l’eau déionisée durant 10-15 sec avec agitation
11) Séchage au jet d’azote