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STMICROELECTRONICS
The Future
of FD-SOI Technology
L’accord annoncé le 14 mai 2014 entre
STMicroelectronics et Samsung marque les débuts
d’une large diffusion du FD-SOI au niveau international.
The contract signed between STMicroelectronics and
Samsung on May 14th, 2014 marks the beginning
of FD-SOI’s wide spread international distribution.
Le FD-SOI sur 28 nm deviendrait-t-il
un nouveau standard pour l’industrie
de la microélectronique ? Le récent
accord entre STMicroelectronics et
Samsung tendrait à le montrer. La technologie FD-SOI résulte de travaux de
R&D menés depuis plus de dix ans par
l’institut Leti de CEA Tech et Soitec.
Alors même que l’industrie mondiale
des semi-conducteurs bute sur le nœud
technologique de 20 nm et prend du retard dans l’industrialisation de ce nouveau format, le Leti éveille en 2009
l’attention de STMicroelectronics : le
FD-SOI en 28 nm pourrait résoudre
bien des difficultés. “Il permet de réaliser des circuits intégrés plus rapides,
plus simples, qui dégagent moins de
chaleur. Il répond ainsi parfaitement
aux exigences de performance accrue
que nécessitent les produits électroniques grand public ou de nouvelle génération”, commente Jean-Marc Chéry,
directeur général de STMicroelectronics.
© DR
Sur les courants
porteurs du FD-SOI
Activité : concepteur et fabricant
de semiconducteurs.
Localisation : Grenoble et Crolles.
Effectif en région grenobloise : 6 000 personnes.
Effectif du groupe à fin 2013 : 45 000 personnes.
CA 2013 : 8,08 milliards de dollars.
Le marché s’empare de la technologie
Depuis 2009, le groupe investit donc dans la technologie FDSOI en 28 nm. Il s’agit d’un virage majeur. En 2010, la R&D
du site de Crolles est réorientée pour amener la technologie
plus rapidement sur le marché. En 2014, Samsung qualifie le
FD-SOI en 28 nm de “solution idéale pour les clients qui souhaitent accroître les performances et le rendement énergétique
en 28 nm, sans être obligés de migrer vers le 20 nm”. Un point
de départ pour l’adoption de la technologie à grande échelle.
L’APPORT DE CEA TECH
Des efforts constants de CEA Tech font émerger
un nouveau standard mondial
La coopération engagée dans les années 2000 entre STMicroelectronics
et le Leti sur le FD-SOI a abouti à une rupture technologique majeure. Mais
plus largement, cette avancée “résulte de plus de 20 années de travaux
de R&D du Leti sur le SOI, déclare Laurent Malier, son directeur. C’est, pour
mes équipes de recherche et moi-même, une très grande satisfaction
d’avoir réussi à pousser cette technologie jusqu’au niveau industriel et à
en faire un excellent candidat pour les technologies des composants s’intégrant dans des objets nomades”. Ce pari, osé à l’époque mais mesuré,
est pour l’heure totalement transformé. Pour l’avenir, le Leti poursuit sa
politique de développement de nouvelles générations en 14 et 10 nm, avec
des résultats très prometteurs.
Is the 28 nm FD-SOI destined to
become the microelectronic industry standard? This recent
agreement would lead us to believe this is the case. FD-SOI
technology is the result of 10
years of R&D work carried out
by the CEA Tech Leti Institute
and Soitec. In 2009, at a time
when the world semiconductor
industry was stuck at the 20 nm
limit and having difficulty mass
producing this new format,
STMicroelectronics was drawn
to the Leti’s promising 28 nm
FD-SOI solution. “Thanks to this
technology it’s possible to create
faster and simpler circuits that
give off less heat. Characteristics
that allow it to meet the high performance requirements of general use electronic products and
new generation products.” comments Jean-Marc Chéry, CEO of
STMicroelectronics.
A new technology to storm the market
In 2009, the group took a sharp turn and invested in 28 nm FD-SOI
technology. Their R&D site in Crolles was reoriented in 2010 to help
bring the technology to market as quickly as possible. By 2014, Samsung described this technology as being “an ideal solution for clients
who wish to increase performance and energy efficiency at 28 nm
without having to migrate towards 20 nm.” Thus this technology has
announced its conquest of the global markets.
INPUT FROM CEA TECH
CEA Tech’s ceaseless efforts lead to a new world
wide standard
STMicroelectronics and the Leti’s cooperative work on FD-SOI
since 2000 has led to a new disruptive technology. In fact, this
success is “the result of over 20 years of SOI R&D work at the
Leti” declares Laurent Malier, head of the Leti. “It has been a
great satisfaction for both my research teams and I to have successfully led this technology to mass production and made it
an excellent option for technological components in mobile
objects.” The value of this risky, yet carefully weighed project,
has today been confirmed. In the future, the Leti will be continuing its development strategy for 14 and 10 nm solutions
whose results are looking very promising.
PRÉSENCES 257 octobre 2014 - 27