Introduction - Cours d`Informatique

Comprendre la mémoire
Introduction
Vous voici à présent dans la 2ème partie de l’article ´ Comprendre la mémoire ´. Si vous
n´avez pas lu la première, je vous invite à le faire rapidement afin que vous ayez une vue
générale des différentes familles de mémoires existantes.
Cette partie est destinée à expliquer les principaux éléments techniques des mémoires.
Toutefois, je me suis essentiellement limité aux SDRAM, car d´une part, il n´est pas
envisageable d´être exhaustif, d´autre part, les principaux concepts liés à cette mémoire se
retrouvent dans les mémoires de nouvelle génération.
Comment fabrique-t-on une mémoire ?
1) On fabrique d´abord un composant DRAM
- On prend une grille composée de quelques milliers de lignes et de colonnes.
- A chaque intersection de ligne et de colonne, on implante un composant électronique de type
condensateur-transistor.
- On relie les lignes et les colonnes de la grille à des composants qui décoderont les
informations provenant du microprocesseur.
- On moule le tout dans un matériau protecteur.
(exemple d´un schéma représentant l´intérieur d´un composant DRAM - shéma -)
2) On fabrique ensuite une barrette :
- On assemble les composants DRAM, par groupe de 2, 4, ..., jusqu´à 32, sur une petite plaque
nommée PCB (Printed Circuit Board - circuit imprimé).
- La barrette est choisie en fonction du type de connecteur (DIMM, SIMM ou RIMM) dont on
souhaite disposer.
Remarques :
- Lorsque l´on met un seul composant de type condensateur-transistor aux intersections de la
grille, on fabrique une DRAM de type 1 bit. Aujourd´hui, les DRAMS sont de type 4, 8 ou 16
bits, c´est-à-dire qu´à chaque intersection, on dépose 4, 8 ou 16 composants de type
condensateur-transistor.
- La grille correspond à un banc. Dans les DRAM utilisées pour les SDRAM ou DDR-RAM,
le nombre de grilles (donc de bancs) est de quatre.
- Ne confondez pas les bancs pour barrette mémoire qui correspondent à des connecteurs
situés sur la carte mère de votre ordinateur, et les bancs internes composant une DRAM.
Comment fonctionne une mémoire ?
La mémoire est accédée soit par le microprocesseur (Athlon, Pentium III, ...), soit par des
processeurs comme celui de la carte graphique, carte sonore, etc... Deux types d´accès ont
lieu : lecture ou écriture. Pour accéder à la mémoire, un processeur doit envoyer 3
informations correspondant à l´adresse de la donnée : (Banc, ligne, colonne, en anglais : bank,
raw, col).
- Le n° du banc (ou grille)
- Le n° de la ligne
- Le n° de la colonne
La méthode d´accès à la mémoire:
- La mémoire reçoit un premier signal spécifiant le n° du banc et de la ligne (RAS).
- La mémoire reçoit un second signal (après une certain temps = RAS to CAS) spécifiant le n°
de la colonne.
- La mémoire accède à la donnée de la colonne (CAS)
- Les données sont envoyées dans les buffers (Tac).
- Le processeur récupère les données, pendant ce temps la mémoire se prépare à recevoir de
nouveaux ordres (RAS précharge)
Auto-configuration : le SPD
Sérial Presence Detect est une technologie qui permet à un ordinateur de reconnaître
automatiquement les bons paramètres de fonctionnement d´une mémoire SDRAM. Ces
paramètres sont des valeurs liées au fonctionnement interne de la mémoire. Elles sont
contenues dans une EEPROM située sur la barrette mémoire, et peuvent être lues par le BIOS
de l´ordinateur.
Voici les définitions :
- CAS : Column Access Strobe : C´est le temps minimum nécessaire pour accéder à une
colonne d´un banc (grille).
- RAS to CAS : Row Access Strobe to CAS : C´est le temps minimum qui sépare l´accès
d´une ligne à une colonne.
- RAS précharge : C´est le temps minimum qui sépare deux signaux RAS
-
Il est possible de régler manuellement ces paramètres pour obtenir les meilleures
performances. Vous pouvez essayer les valeurs suivantes pour chacun des paramètres cité
: dans l´ordre 3-3-3 le plus sûr mais le plus lent, 3-2-2 classique, 2-2-2 le meilleur mais
toutes les mémoires ne l´acceptent pas.
Remarques :
- J´ai défini l´acronyme AS de CAS et RAS comme Access Strobe, mais vous trouverez
aussi Adresse Select, ou Adresse Strobe. Strobe peut être traduit par impulsion. Dans tous
les cas, ces paramètres correspondent au temps nécessaire d´établissement d´un signal
électrique qui active tel ou tel élément dans un composant DRAM.
- Vous trouverez normalement les mots CAS ou RAS, écrits avec une barre au dessus. C´est
leur formulation exacte.
Explication des paramètres internes
- Les paramètres CAS latency, RAS to CAS, et RAS précharge reçoivent des valeurs allant
de 2 à 3. Mais à quoi correspondent ces valeurs ?
- CAS = Tcac / Tclk
- Tclk = 1 / Fréquence du bus. Pour un bus à 100 Méga-hertz, Tclk = 1/100000000 = 10
nano-secondes.
- Tcac = Time to columm access (temps d´accès à la colonne) sa valeur varie de 10 à 30
nano-secondes.
Exemple :
- Si on prend Tcac = 25 nano-secondes et un bus = 100Mhz, alors CAS = 25 /10 = 2,5. Les
valeurs devant toujours être entières, on arrondit au chiffre supérieur, donc CAS = 3
- RAS to CAS = Trcd / Tclk
- Trcd = Time Ras to Cas Delay. Prend des valeurs de 10 à 30 nano-secondes et se calcule
comme dans l´exemple de CAS.
- RAS précharge = Trp / Tclk
- Trp = Time Ras Précharge. Prend des valeurs de 10 à 30 nano-secondes et se calcule
comme dans l´exemple de CAS.
- Il existe un autre paramètre très important qui, contrairement à ceux cités ci-dessus, n´est
pas modifiable.
- Tac = Time Access Clock.
- C´est le temps nécessaire à la mémoire pour accéder à l´horloge afin d´envoyer une
information. Vu sous un autre angle, c´est le temps nécessaire à la mémoire pour préparer
une information destinée à être envoyée sur le bus de communication.
Les différents Tac :
- - PC100 : Tac = 6 nano-secondes.
- - PC133 : Tac = 5,4 nano-secondes.
- Le temps d´accès maximum à une SDRAM est environ : Tcac + Trcd + Trp
- Notez que pour des valeurs Tcac, Trcd, Trp constantes, le temps d´accès augmente quand
on augmente la vitesse du bus.
Fréquence et débit d´une mémoire
- Le débit d´une mémoire est dans la plupart des cas liés à sa fréquence de fonctionnement.
C´est le cas, en particulier, des mémoires synchrones (voir ‘Comprendre sa mémoire 1 les familles´). A chaque top de l´horloge, un paquet d´informations est envoyé. Pour la
SDRAM, ces paquets sont de 64 bits et pour la RAMBUS de 16 bits. Une mémoire
SDRAM à 133 Mhz peut débiter un maximum de 133 millions d´informations par
seconde, soit :
- - 133000000 * 64 = 8512000000 bits/s.
- - Ou encore 1064000000 octet/s. (1 octet = 8 bits)
- Par contre, une mémoire DDR-SDRAM cadencée à 133 Mhz peut débiter 266 millions
d´informations par seconde, soit 2128000000 octet/s. La particularité de cette mémoire est
d´envoyer 2 paquets d´information à chaque top de l´horloge.
- Il ne faut pas confondre fréquence de fonctionnement et débit. Ainsi, la SDRAM tout
comme la DDR SDRAM fonctionnent à 133 Mhz, mais cette dernière offre pourtant une
bande passante double.
- Pour résumer, le débit d´une mémoire en bits peut se calculer de la sorte :
- Débit = Fréquence (Hz) * Taille d´un paquet (Bits) * Nombre de paquets envoyés par
cycle
La technique de pagination
- La pagination vise à améliorer les débits d´une mémoire lorsque les informations accédées
sont contiguës. Pour se faire on organise les informations stockées en page.
- Une page contient autant d´informations qu´il y a de colonnes dans une grille, soit de 2048
à 8192 colonnes avec les composants DRAM actuellement. Le nombre de pages est égal
au nombre de lignes.
Comment ça marche ?
- Avec des mémoires sans pagination il faut préciser, pour chaque données, son numéro de
ligne et de colonne. Avec la pagination on ne donne qu´une seule fois le numéro de la
ligne (ou page). La mémoire a ainsi moins de travail à exécuter et l´accès aux
informations est plus rapide.
Pourquoi ça marche ?
- La technique de pagination n´est efficace que si les données auxquelles on accède sont
contiguës. On pourrait croire qu´on a autant de chance pour que la prochaine information
soit ou ne soit pas contiguë à la précédente. C´est faux, statistiquement vous avez
beaucoup plus de chances pour que la prochaine information soit contiguë à la précédente.
C´est pour ça que cette technique est si efficace.
Un peu d´histoire
- La première mémoire à avoir utiliser avec succès la pagination a été la FPM (1992), d´où
son nom (Fast Page Mode - Pagination rapide)). Ensuite la mémoire EDO (1995), qui
n´apportait qu´une amélioration de la pagination de la FPM. L´EDO est aussi appelé HPM
(Hyper Page Mode - hyper pagination). La SDRAM (1997), quant à elle, apporte l´ultime
amélioration au procédé avec le burst mode. Nous verrons plus loin pourquoi.
Vitesse de Pagination
- Pour calculer la vitesse de pagination d´une mémoire, on indique le temps d´accès aux
quatre premières informations d´une page, en nombre de cycles d´horloge. Voici les
vitesses classiques de mémoire avec pagination :
-
- FPM : 5-3-3-3
- EDO : 5-2-2-2
- SDRAM : 5-1-1-1
-
A présent, nous allons essayer de calculer la vitesse de débit d´une mémoire paginée.
Deux cas extrêmes se présentent. Soit toutes les données se trouvent sur des pages
différentes (vitesse minimum), soit toutes les données se trouvent sur la même page
(vitesse maximum).
-
Pour calculer ces vitesses, il nous faut :
- Le nombre de cycle mémoire à chaque accès d´une donnée Cy.
- La fréquence de fonctionnement de la mémoire qui nous fournit le nombre de cycles que
la mémoire peut traiter en 1 seconde : Fq
- Le nombre d´octets envoyés par cycle : Oc
On obtient la formule suivant : Débit = (Fq / Cy) * Oc
-
Pour les calculs qui suivent, nous prendrons une mémoire SDRAM de 100 Mhz. Une
SDRAM envoie 8 octets à chaque cycle, car elle est composée de 8 composants DRAM
de 8 bits (8*8 bits = 64 bits = 8 octets). A 100 Mhz, le nombre de cycles par seconde est
de 100 millions. Donc Oc = 8 et Fq = 100000000.
Débit minimum
- Cy vaut 5, car chaque accès se fait sur une page différente. On a donc :
- Débit = (100000000 / 5) * 8 = 160000000 octets ou 160 Mo en arrondisant
Débit maximum
- Cy vaut 1, car chaque accès se fait sur la même page (sauf le premier qu´on peut négliger).
On a donc :
- Débit = (100000000 / 1) * 8 = 800000000 octets ou 800 Mo en arrondissant
- Bien sûr, ces débits sont purement théoriques. Dans la réalité, d´autres facteurs sont à
prendre en ligne de compte et ces chiffres peuvent être divisés par 2. On parle dans ce cas
de ´débit soutenu´.
Burst mode
- Le burst mode (mode par rafale) est une optimisation de la technique de pagination,
permettant de transférer le contenu d´une page au maximum des possibilités de la
mémoire, mais durant un cours laps de temps.
On utilise essentiellement deux techniques :
- - L´accès aux informations d´une page nécessite un pointeur qui est incrémenté au fur et à
mesure. Les mémoires gérant le burst mode disposent de leur propre pointeur et
mécanisme d´incrémentation. Ce n´est pas le cas des mémoires FPM et EDO.
- - Lorsqu´une demande de transfert en mode burst est demandée par un composant de votre
machine (microprocesseur, carte graphique, contrôleur de disque, ...), l´accès de la
mémoire est bloqué pour les autres composants.
-
Les débits obtenus peuvent atteindre des valeurs de plusieurs centaines de Mo/s, mais sur
une période de quelques dizaines de nano-seconde. Cette technologie n´est pas spécifique
à la SDRAM, puisque la BEDO en bénéficiait aussi.
Remarque :
- Il existe une confusion à propos du burst mode qui fait croire à certains auteurs d´article
ou de livre, que les mémoires FPM et EDO en disposaient. C´est faux. Je pense que cette
confusion vient de ce que les cartes mères équipées de mémoire FPM ou EDO, affichent
dans le menu de leur BIOS, des options Burst Read et Burst Write. Ces paramètres
concernent en fait la mémoire cache de second niveau qui équipe ces cartes mères et qui
est du type SRAM. La SRAM communique bien avec l´EDO en mode burst, mais c´est la
SRAM qui génère et contrôle ce mode de fonctionnement.
Détection et correction d´erreurs
Une mémoire peut être sujette à des erreurs. Ne soyez pas surpris, la mémoire est un
composant électronique qui, comme tous ces types de composants, est sensible aux variations
de courant, au champ électromagnétique ou à la chaleur.
Toutefois, l´une des principales causes d´altération des informations est la faible qualité de
fabrication. Or celle-ci a bien progressé et aujourd´hui, un fabricant sérieux peut proposer des
mémoires qui ne vous causeront aucun problème dans des conditions normales de
fonctionnement. Mais il reste des cas où les mémoires vont être utilisées dans un ordinateur
situé dans une zone à risque : milieu industriel, conditions climatiques extrêmes.
Nous allons voir les 2 technologies proposées aujourd´hui : mémoire avec parité et mémoire
auto-correctrice (ECC).
Mémoire avec test de parité (parity checking en anglais)
Généralement, les mémoires pour ordinateur de type PC sont structurées par regroupement de
8 bits (FPM : 1*8 bits, EDO : 4*8 bits, SDRAM : 8*8 bits. La mémoire avec parité consiste à
ajouter à chacun de ces groupes de 8 bits un bit supplémentaire, soit 1 bit pour la FPM, 4 bits
pour l´EDO et 8 bits pour la SDRAM.
A quoi sert ce bit supplémentaire ?
Il prend la valeur 1 quand il y a un nombre pair de 1 dans le groupe des 8 bits, et 0 sinon. Si le
bit de parité est à 1 et que la valeur est impaire alors il y a une erreur.
Exemple :
1 0 1 1 0 0 0 1 : Groupe de 8 bits, bit de parité à 1
1 0 1 1 0 0 1 1 : Groupe de 8 bits, bit de parité à 1 => génération d´une erreur
Comment l´erreur est-elle gérée ?
A chaque rafraîchissement de la mémoire, un contrôle est effectué. Si une erreur est détectée,
une information est envoyée au microprocesseur. Pour les plus techniciens d´entre vous, il
s´agit d´un NMI (non maskable interrupt).
Cette information est récupérée par le système d´exploitation qui décide, soit de mettre
l´ordinateur en arrêt total (nécessité de l´éteindre et de le rallumer), ce qui est le cas de
Windows 95/98, soit de fermer l´application gérant la zone mémoire en cause et d´initialiser
cette zone. Cas de Linux et Windows NT.
Avantages de cette technologie :
- La gestion du bit de parité se fait en parallèle avec la mémoire donc sans perte de
performances.
- Par la détection d´erreur, elle évite que des informations erronées ne soient stockées en
mémoire et utilisées par un logiciel ou enregistrées sur le disque dur.
Désavantages :
- Les mémoires avec parité nécessitent 12,5% de mémoire de plus, et sont donc plus chères.
- La détection d´erreur n´est pas totale. Si 2 bits se mettent en erreur en même temps, le bit de
parité ne le verra pas. Ou encore, si le bit de parité lui-même se met en erreur, ce qui arrive
une fois sur neuf.
Mémoire ECC (Error Code Correction)
L´ECC est une mémoire qui permet la correction d´erreur et fonctionne grâce à un algorithme
qui s´applique sur un groupe de bits. Plus il y a de bits, mieux c´est :
mémoire 64 bits : 8 bits pour l´ECC
mémoire 32 bits : 7 bits pour l´ECC
C´est pour ça que l´ECC n´est vraiment apparu qu´à partir des mémoires 64 bits, sinon elle
utilise trop de place. A titre de comparaison, pour 64 bits, la mémoire avec parité utilise 8 bits,
mais pour de la mémoire 32 bits seulement 4 !
Aujourd´hui, la mémoire avec parité a été complètement remplacée par la mémoire ECC, en
particulier sur la SDRAM.
Le fait d´utiliser un algorithme ralentit un peu le fonctionnement de ces mémoires.
Pour corriger les erreurs d´une mémoire, on ajoute à une SDRAM un composant intégrant un
programme détectant et corrigeant les erreurs. Toutefois, tous les ordinateurs ne gèrent pas ce
genre de mémoire. Cela dépend du chipset utilisé par votre carte mère. Par exemple le chipset
VX d´Intel ne la gère pas alors que le chipset HX ou BX la gère.
Avantages de cette technologie :
- assure la quasi intégrité de la mémoire
- correction indépendante du système d´exploitation
Désavantages de cette technologie :
- de 10% à 30% plus cher que de la Ram traditionnelle
- légère perte de performances de 2% - 3%
- n´est pas acceptée sur toutes les machines
Remarque :
La mémoire traditionnelle est une mémoire sans contrôle de parité et sans correction d´erreur.
Pour une mémoire de base de 64 bits, une mémoire ECC utilisera 72 bits. Ne confondez pas
les 72 bits des mémoires avec parité ou ECC, avec les 72 pins des connecteurs Simm utilisés
en particulier pour la mémoire EDO. Cela n´a rien à voir !
Résumé :
La mémoire avec parité permet un contrôle sans perte de performance de la mémoire mais
encore faut-il que votre ordinateur l´accepte et que votre système d´exploitation la gère. Mais
les progrès dans la qualité de fabrication des mémoires sont tels que la nécessité d´une
détection de panne devient superflue. Seule reste intéressante la mémoire ECC qui assure la
détection et la correction des problèmes. Mais celle-ci n´a d´utilité que dans des situations où
l´ordinateur sera soumis à de fortes contraintes et/ou des impératifs de qualité.
Mémoire avec tampon/registre (buffered/registered)
Les mémoires traditionnelles sont nommées unbuffered (sans tampon). Par convention et
comme elles représentent 95% des mémoires vendues, on ne le précise pas.
Les mémoires buffered/register sont composées de mémoires traditionnelles auxquelles on
ajoute des registres mémoire qui forment un tampon mémoire entre les composants Dram et le
chipset de la carte mère.
L´utilisation de mémoire buffered/registered permet de répondre à 2 objectifs. D´une part
d´autoriser l´utilisation de plus de 16 composants DRAM sur une barrette mémoire, d´autre
part de permettre l´utilisation de plus de 4 barrettes mémoire sur un ordinateur.
Différence entre le mode Buffered et registered :
Le mode registered implique une gestion des mémoires avec 1 temps d´attente (wait state),
mais permet d´offrir une plus grande stabilité.
Le mode buffered permet l´utilisation sans temps d´attente supplémentaire, mais en risquant
une stabilité moindre.
Les deux modes permettent bien de faire la même chose, mais pas exactement de la même
manière. Il appartient au constructeur de barrette mémoire de définir si son produit doit
fonctionner en mode registered ou buffered en fonction de ses contraintes de qualité et/ou de
fonctionnement.
Quelle machine les utilise ?
Généralement des serveurs, disposant de carte mère spécifique. Attention, une des coches
située sur ces barrettes mémoire Sdram est légèrement décalée par rapport aux barrettes
traditionnelles.
Les différents types de connecteurs
Une barrette mémoire est composée de composants DRAM et de contacts afin de pouvoir
l´enficher dans un connecteur. On distingue actuellement trois types de connecteurs : les
SIMM, les DIMM et les Récents RIMM (j´en parlerai dans un autre article).
Le format et l´utilisation de ces connecteurs sont fortement liés à la taille du bus de
communication 16, 32, 64 bits comme nous allons le voir.
SIMM : Single In-line Memory Module
Ce type de connecteur a pratiquement disparu, et est utilisé depuis les derniers modèles de PC
à base de processeur 80286 d´Intel jusque dans les modèles équipés de carte mère Socket 7
supportant les Pentium et K6.
Simm 30 connecteur
Les premiers modèles de Simm étaient composés de 30 connecteurs. Ils étaient destinés à des
bus mémoires de 16 bits et comme chaque barrette mémoire, pour ce type de connecteur, est
de 8 bits, il en faut deux à chaque extension mémoire.
Simm 72 connecteur
Avec l´arrivée du processeur 80386 d´Intel, le bus mémoire est passé de 16 à 32 bits. On
aurait pu garder le format des connecteurs Simm 30, mais comme il fallait 4 barrettes
mémoire de 8 bits (car 4 * 8 = 32 bits) cela faisait plutôt encombrant. On a donc fabriqué une
nouvelle barrette permettant de gérer 32 bits directement. Elle était composée de 72
connecteurs. Ainsi, pour augmenter la mémoire, il suffisait d´une seule barrette.
Lorsque le Pentium a été commercialisé en 1995, il permettait l´exploitation d´un bus de
communication de 64 bits et il aurait fallu faire de nouvelles barrettes. Toutefois, on préféra la
solution déjà adoptée pour les 80286, à savoir l´utilisation de 2 barrettes 2*32 = 64 bits.
DIMM : Dual In-line Memory Module
Le Dimm est apparu avec la SDRAM et comporte 168 connecteurs. Il est destiné à des
barrettes mémoire gérant 64 bits. Donc pour les ordinateurs gérant un bus de communication
de 64 bits, il suffit d´une barrette pour augmenter la mémoire.
SO-DIMM : Small Outline - DIMM
C´est une version compact du format DIMM, existant pour des mémoires 64 bits avec 144
broches, et pour des mémoires 32 bits avec 72 broches. Le SO-DIMM a été développé pour
répondre à des impératifs d´encombrement et est généralement utilisé pour les ordinateurs
portables ou de poche.
Différence entre SIMM et DIMM :
Sur une barrette Simm, il y a des connecteurs de chaque côté mais ce sont des jumeaux, c´està-dire qu´un connecteur Simm 72 possède en fait 144 connections, mais seulement 72 sont
utiles. C´est une question de sécurité. Ainsi si l´un des contacts (en étain) est abîmé, l´autre
prend le relais.
Par contre, sur les DIMM, les 168 connecteurs ont tous une fonction précise, et afin d´éviter
une usure des connecteurs et d´assurer un bon contact, ils sont en or.
Sens de branchement.
Chaque connecteur Simm ou Dimm est équipé de butés et les barrettes, d´encoches qui évitent
de mettre la barrette mémoire dans le mauvais sens. Pour les Simm, l´encoche est sur le côté
de la barrette, pour les Dimm il y en a deux et elles sont au niveau des contacts.
Cas particuliers :
Il existe des barrettes mémoire pour EDO au format DIMM 168 connecteurs comme la
SDRAM. Méfiez-vous de la tension des barrettes de type DIMM. Il existe des modèles 5 volts
et des modèles 3,3 volts. Toutefois le format 5v a totalement disparu, mais s´il vous arrivait de
tomber dessus, sachez que la position des encoches diffère légèrement entre ces 2 modèles
pour que vous ne commettiez pas d´erreur.
Ne forcez jamais une mémoire, essayez de bien comprendre pourquoi votre barrette ne rentre
pas avant de commettre l´irréparable.
Le nombre de connecteurs
Que ce soit pour une carte mère d´ordinateur ou pour une imprimante, il existe souvent
plusieurs connecteurs. Ceux-ci sont numérotés de 0, 1, 2, ... ou 1, 2, 3 ... Vous devez respecter
l´ordre de remplissage des connecteurs en commençant par le premier. Généralement, les
manuels d´utilisation sont bien faits sur ce sujet, donc lisez-les bien avant tout achat de
mémoire.
Compléments et précisions
A - Mémoires cache
Personnellement, je trouve que les mémoires cache méritent à elles seules un article. Mais ce
n´est pas aussi facile, car elles se situent à la frontière entre le monde des mémoires et celui
des processeurs. Mais puisqu´à présent, il existe un article sur les microprocesseurs et les
mémoires, rien ne s´oppose plus à ce qu´un tel article soit fait. Ainsi la boucle sera bouclée :)
B - Vitesse de lecture et d´écriture
Dans une mémoire, la lecture d´information se fait plus lentement que l´écriture, alors que
pour un disque dur c´est le contraire. Lorsqu´une écriture est faite en mémoire, aucune
information n´a besoin d´être retournée. Par contre, en lecture, la mémoire doit renvoyer le
résultat au processeur.
Pour un disque dur, différents contrôles doivent être effectués, lors de la lecture ou de
l´écriture. Et il y plus de contrôles lors d´une écriture, que lors d´une lecture.
C - Entrelacements
L´entrelacement est une technique qui vise à améliorer les temps d´accès d´une mémoire. Il
existe des entrelacements entre les bancs, les composants DRAM et même entre les barrettes
mémoire. L´entrelacement m´a semblé un peu trop technique pour être intégré dans cet article,
mais j´espère pouvoir le faire dans un prochain article.
D - Chronogramme
Les chronogrammes sont une représentation schématique détaillée du fonctionnement d´un
composant DRAM. Si vous souhaitez aller plus loin dans votre compréhension du
fonctionnement des mémoires, il vous faudra apprendre à lire ces chronogrammes. Exemple
d´un - chronogramme -)
Conclusion
Malgré la longueur de l´article (première et deuxième partie) je n´ai pas dit tout ce que j´avais
à dire et 2 autres articles sont en cours de préparation, l´un concernant les subtilités d´achat
d´une mémoire et l´autre concernant exclusivement les nouvelles mémoires DDR-RAM,
RAMBUS, FCRAM et VCM. Mais il faut laisser du temps au temps alors patience
Ecrire cet article n´a pas été de tout repos. J´ai été surpris par le manque de détails et de
cohérence de nombreuses sources ! Aussi, je demande votre indulgence, et votre participation.
Si vous disposez d´informations ou de documents susceptibles d´améliorer cet article, faites-le
moi savoir, ce sera avec plaisir que j´en tiendrai compte.