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SPANSION Flash Memory
Mémoire flash SPANSION This product is RoHS compliant. PRODUITS NOR MIRRORBIT® Réf. Spansion Boîtier boîtier 797-S29GL128P90TFIR2 797-S29GL128P90TFIR1 797-S29GL128P10TFI01 797-S29GL128P11TFI01 797-S29GL128P11TFI02 797-S29GL256P10TFI01 797-S29GL256P10TFI02 797-S29GL256P11TFI02 797-S29GL256P11TFI01 797-S29GL512P11TFI02 797-S29GL512P11TFI01 797-S29GL01GP11TFIR1 797-S29GL01GP12TFI01 S29GL128P90TFIR20 S29GL128P90TFIR10 S29GL128P10TFI010 S29GL128P11TFI010 S29GL128P11TFI020 S29GL256P10TFI010 S29GL256P10TFI020 S29GL256P11TFI020 S29GL256P11TFI010 S29GL512P11TFI020 S29GL512P11TFI010 S29GL01GP11TFIR10 S29GL01GP12TFI010 TSOP-56 TSOP-56 TSOP-56 TSOP-56 TSOP-56 TSOP-56 TSOP-56 TSOP-56 TSOP-56 TSOP-56 TSOP-56 TSOP-56 TSOP-56 Mode page Temps d’accès 25/30 ns 25/30 ns 25/30 ns 25/30 ns 25/30 ns 25/30 ns 25/30 ns 25/30 ns 25/30 ns 25/30 ns 25/30 ns 25/30 ns 25/30 ns Pour des quantités supérieures à celles indiquées, appelez-nous afin d'obtenir un devis. Option de vitesse 90 ns 90 ns 100 ns 110 ns 110 ns 100 ns 100 ns 110 ns 110 ns 110 ns 110 ns 110 ns 120 ns Densité Largeur de bus Boîtier secteur Numéro de modèle 128 Mb 128 Mb 128 Mb 128 Mb 128 Mb 256 Mb 256 Mb 256 Mb 256 Mb 512 Mb 512 Mb 1 Gb 1 Gb x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 Uniforme Uniforme Uniforme Uniforme Uniforme Uniforme Uniforme Uniforme Uniforme Uniforme Uniforme Uniforme Uniforme 3,0 V - 3,6 V, minimum 3,0 V - 3,6 V, maximum 2,7 V - 3,6 V, maximum 2,7 V - 3,6 V, maximum 2,7 V - 3,6 V, minimum 2,7 V - 3,6 V, maximum 2,7 V - 3,6 V, minimum 2,7 V - 3,6 V, minimum 2,7 V - 3,6 V, maximum 2,7 V - 3,6 V, minimum 2,7 V - 3,6 V, maximum 3,0 V - 3,6 V, maximum 2,7 V - 3,6 V, maximum Prix unitaire 1 7,64 7,27 7,05 6,27 7,24 10,58 10,10 10,43 8,91 14,44 14,16 26,38 27,19 25 6,79 6,91 6,25 5,69 6,44 9,40 8,97 9,26 8,16 13,04 12,57 23,43 24,16 100 6,20 6,83 5,71 5,65 5,86 8,57 8,18 8,45 8,06 12,28 11,48 21,38 22,04 PRODUITS DE MÉMOIRE FLASH NOR À POINT D'ACCÈS LOGIQUE FLOTTANT S29JL032H est un dispositif de mémoire flash uniquement à 3 volts, 32 mégabits organisé sous forme de 2 097 152 mots de 16 bits chacun ou 4 194 304 octets de 8 bits chacun. Le mode en mots apparaît sur DQ15-DQ0 ; les données en mode octets apparaissent sur DQ7-DQ0. Le dispositif est conçu pour être programmé en système avec la source d'alimentation VCC de 3 volts standard et peut aussi être programmé en programmateurs EPROM standard. Pour des quantités supérieures à celles indiquées, appelez-nous afin d'obtenir un devis. RÉF. STOCK MOUSER Réf. Spansion 797-S29JL032H90TAI32 797-S29JL032H90TFI31 797-S29JL032H90TFI32 797-S29JL032H90TAI31 797-S29JL032H70TFI02 797-S29JL032H70TFI32 797-S29JL032H70TFI42 S29JL032H90TAI320 S29JL032H90TFI310 S29JL032H90TFI320 S29JL032H90TAI310 S29JL032H70TFI020 S29JL032H70TFI320 S29JL032H70TFI420 Boîtier boîtier TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48 Option de vitesse 90 90 90 90 70 70 70 ns ns ns ns ns ns ns Densité 32 32 32 32 32 32 32 Largeur de bus Boîtier secteur Dispositif d’initialisation x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 Initialisation Initialisation Initialisation Initialisation Initialisation Initialisation Initialisation Bas, 2 banques 8/24 Mb Haut, 2 banques 8/24 Mb Bas, 2 banques 8/24 Mb Haut, 2 banques 8/24 Mb Bas, 4 banques 4/12/12/4 Mb Bas, 2 banques 8/24 Mb Bas, 2 banques 16/16 Mb Mb Mb Mb Mb Mb Mb Mb Prix unitaire 1 3,81 3,63 3,63 3,81 3,74 3,74 3,74 25 3,37 3,22 3,22 3,37 3,32 3,32 3,32 100 3,09 2,95 2,95 3,09 3,03 3,03 3,03 MÉMOIRE FLASH À INTERFACE PAGE-MODE La famille de dispositifs S29GL-N inclut des dispositifs de mémoire de signalisation à une seule puissance de 3 volts fabriqués en utilisant la technologie MirrorBit 110 nm avec l’interface Page-Mode. S29GL032N est un dispositif 32 M octets organisé sous forme de 2 097 152 mots ou 4 194 304 octets. En fonction du numéro de modèle, les dispositifs ont un seul bus de données à largeur de 8 bits, un seul bus de données à largeur de 16 bits ou un bus de données à largeur de 16 bits qui peut aussi fonctionner comme bus de données à largeur de 8 bits en utilisant l’entrée No octets. Les dispositifs peuvent être programmés soit dans le système hôte, soit dans des programmateurs EPROM standard. RÉF. STOCK MOUSER 797-S29GL032N90TFI01 797-S29GL032N90TFI03 797-S29GL064N90TFI04 797-S29GL064N90TFI01 797-S29GL064N90TFI03 Réf. Spansion Boîtier boîtier S29GL032N90TFI010 S29GL032N90TFI030 S29GL064N90TFI040 S29GL064N90TFI010 S29GL064N90TFI030 TSOP-56 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-56 TSOP-48 Mode page Temps d’accès 25 ns 25 ns 25 ns 25 ns 25 ns Pour des quantités supérieures à celles indiquées, appelez-nous afin d'obtenir un devis. Option de vitesse 90 90 90 90 90 ns ns ns ns ns Densité 32 32 64 64 64 Largeur de bus Mb Mb Mb Mb Mb x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 Boîtier secteur Numéro de modèle Uniforme/Initialisation 2,7 V - 3,6 V, maximum Uniforme/Initialisation 2,7 V - 3,6 V, minimum Uniforme/Initialisation 2,7 V - 3,6 V, deux en bas Uniforme/Initialisation 2,7 V - 3,6 V, maximum Uniforme/Initialisation 2,7 V - 3,6 V, deux en haut Prix unitaire 1 2,35 2,31 3,90 4,48 3,90 25 2,09 2,05 3,46 3,96 3,46 100 1,91 1,88 3,18 3,63 3,18 PRODUITS À INTERFACE CONVENTIONNELLE S29JL064H est un dispositif de mémoire flash uniquement à 3 volts, 64 mégabits organisé sous forme de 4 194 304 mots de 16 bits chacun ou 8 388 608 octets de 8 bits chacun. Le mode en mots apparaît sur DQ15-DQ0 ; les données en mode octets apparaissent sur DQ7-DQ0. Le dispositif est conçu pour être programmé en système avec la source d'alimentation VCC de 3 volts standard et peut aussi être programmé en programmateurs EPROM standard. Pour des quantités supérieures à celles indiquées, appelez-nous afin d'obtenir un devis. RÉF. STOCK MOUSER Réf. Spansion 797-S29JL064H70TAI00 797-S29JL064H70TFI00 797-S29JL064H90TFI00 797-S29JL064H90TAI00 S29JL064H70TAI000 S29JL064H70TFI000 S29JL064H90TFI000 S29JL064H90TAI000 Boîtier boîtier TSOP TSOP TSOP TSOP Option de vitesse 70 70 90 90 ns ns ns ns Densité 64 64 64 64 Mb Mb Mb Mb Largeur de bus Boîtier secteur x8/x16 x8/x16 x8/x16 x8/x16 Initialisation Initialisation Initialisation Initialisation Prix unitaire Dispositif d’initialisation Point Point Point Point d’accès d’accès d’accès d’accès logique logique logique logique flottant flottant flottant flottant 130 130 130 130 nm nm nm nm 1 6,60 6,57 6,58 6,40 25 5,86 5,83 5,85 5,68 100 5,35 5,31 5,33 5,18 PRODUITS À INTERFACE SÉRIELLE PÉRIPHÉRIQUE (SPI) La nouvelle famille de mémoire flash Spansion® S25FL à 3 volts avec interface sérielle est conçue pour réduire les coûts et simplifier énormément la conception du système électronique consommateur et les périphériques d’ordinateur tels que les disques durs, les unités optiques, imprimantes, téléphones sans fil, modems DSL/câble et lecteurs et enregistreurs DVD. Spansion rend ces améliorations possibles en utilisant l’Interface sérielle périphérique (SPI), une norme de communication sérielle émergente. * Plage de température : de -40°C à +85°C RÉF. STOCK MOUSER Réf. Spansion 797-S25FL128P0XMFI00 S25FL128P0XMFI001 © Copyright 2012 Mouser Electronics Pour des quantités supérieures à celles indiquées, appelez-nous afin d'obtenir un devis. Boîtier boîtier Fréquence horloge SO-8 50 MHz mouser.com/spansion Densité Largeur de bus Boîtier secteur 128 Mb x1 Uniforme Tous les prix sont en EURO Plage de température Industriel * Technologie 200 nm MirrorBit® Prix unitaire 1 6,09 [email protected] 25 5,79 100 5,73 © Copyright 2012 Mouser Electronics 259 Spansion RÉF. STOCK MOUSER Mémoire Les Spansion S29GL01G / 512 / 256 / 128P sont des produits flash Mirrorbit™ à 3,0 volts fabriqués sur la base de la technologie de processus de 90 nm avec interface Page-Mode. Ces dispositifs offrent un temps d’accès à la page rapide de 25 ns avec un temps d’accès aléatoire correspondant de 110 ns. Ils comprennent un tampon d’écriture qui permet un maximum de 32 mots / 64 octets programmables dans une opération, ce qui entraîne un temps de programmation effectif plus rapide que les algorithmes de programmation standard. Ceci rend ces dispositifs idéaux pour les applications incorporées actuelles qui nécessitent une densité plus élevée, une meilleure performance et une consommation plus faible.
