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IUOTOF?OLA Sern îeonduete.trs LA PLUS LABGE GAMME D'AMPLIFIcATEURS orÉnRTIOIIIITIS IrurÉENÉS MC MC 1430 Tension +9 d'Alimentation +6 d'Alimentation nominale (V) il0 ll0 110 - Gamme de r Excursion I4 5000 Gain en boucle ouverte (typ.) 5000 l2 Bande passante à 3 dB (MHz-typ.l (boucle ouverte) 60 000 3500 0l 04 't2 150 0+75 0+75 ,L: 3,5 + + 12 3,5 _: 12 3600 45 000 3400 45 000 002 0l 04 70 55+125 12 7000 I 15 70 3,6 7000 60 000 3500 : l8 -6 0+75 L + +12 +t2 l5 -55+125 3,6 - 80 0 +75 + +12 1437 +21 6 + 80 -55+125 MC +12 100 0+75 +4 t8 l5 +6 100 -55+125 4,5 t + 125 0+75 :l 4,5 l0 55+125 0+75 de sortie minimum (V) t20 I - 55+125 température 1"C) +6 MC 1712C +21 l8 +e T t5 I MC r7r2 MC r709C + t8 l5 +6 MC 1709 MC 1435 ll0 t8 + + -6 +6 Puissance c0ns0mmee (mW typ.) + +8 +8 MC 1s3s MC 1433 1431 +e max. (V) Tension MC 1s33 MC r531 MC 1s30 PARAMETRES 45 000 I 0l 002 I à n 20K Z entrée (O typ I r5 600 K 25 Z sortie (O typ.) IM 2M 45K 600 K r,7 K I00 25 25 45K K t00 25 400 40K K 250 32K K t50 .: K = ô o ë t 200 150 I I 0- 7K 200 t50 30 P 75 Réjection en mode commun (dB typ.) 100 75 FG F;G Boitiers F,G,P t00 75 75 90 90 FG FG F,G,P 'I 90 F,G,P o 95 90 100 L= o c o FG FG F,G,P .9 00 c F,G,P F,G,P P .9 ô E o 204-258-273 Notes d'application 2 76 -400-403 204-258 273-403 248-261 275-400 0- 400-403 .t'l la classification de Mendeleff, le germanium est un métal rare présentant des analogies avec le silicium et l'étain. ll fut découvert en 1885 par Winkler. Ses propriétés semi-conductrices sont mises à profit dans les diodes et les transistors utilisés dans des conditions de températures ambiantes normales. Pour les températures élevées, on lui substitue le silicium. LE GERMANIUM : 32e élément de MOTOROLA-SCAIB 15, avenue de Ségur, Paris-7" Té1.705.29,10 MOTOROLA SEMICONDUCTEURS Centre Electronique de Toulouse 1 26, chemin Canto-Laouzetto 31-Toulouse Le Mirail TNOTOROLA Selrr ic,onducteurs LA PLUS LARGE GAMME DE CIRCUITS INTEGRES DIGITAUX clRactÉntsloues Type de looique MECL MECL II n0n saturée I MHTL MTTL MDTL n0n Zener- saturée Transistor transistortransistor 4 85 l0 40 120 4 35 40 assez bonne DTL MRTL Diode- Diode- résistance résistance Transistor Transistor transistor transistor 30 30 24 45 20 l2 ou40 t0 8 (min.) tà3 35 t5 I I t2 2,5 assez bonne excellente bon ne bonne bonne faible faible excellente excellente excellente assez bonne bonne bonno bonne bonne 25 25 l0 I 5 5 4 20c) r5e) 2ko 640 c) ou Vsat 3,6 ko ou Vsat mW MRTL Temps de propagation moyen (n.S) Elément binaire fréquence typique de travail ( MHz ) Puissance de dissipation par porte ( mW ) lmmunité aux bruits externes lmmunité aux bruits internes Facteur pyramidal de sortie par porte lmpédance de sortie 1,5 ko ou Vsat l2 ou 6 15 ou 7 G 70c) ou Vsat 6 ko/z ko ou Vsat ou Vsat c I E c c Entrée expansible 0u 0ut 0u 0u 0u 0u 0u 0u o o o E À Connexion en 0u our 0 +75 0+75 -55+125 ri15I + I 25 "0U" 0ut n0n 0u 0+75 0 +75 -55 + 125 0ut t!j Gamme de température ( oC ) Tension d'alimentation -5,2+20% -5,2+20% n0n +15+55 -30 +75 r5+r,0v MONOCRISTAUX DE SILICIUM : 14e élément de la classification de Mendeletf, le silicium est un métalloide analogue au carbone. ll entre dans un grand nombre de minéraux et lorme 28,'/" de l'écorce terrestre. G'est un semiconducteur de plus en plus employé en électronique ; son excellente tenue en température et I'homogénéité de sa fabrication ont permis I'extension du procédé Planar. -55+125 ,'o;'Âa 5,0+t0% 0+75 -55 +125 -l',1+roz 0 +75 0 + 100 n0n 0- +15 +55 -55 +125 0+75 -55+125 3,0+10% 3,8+10% 3,0+10% 3,6+10% MOTOROLA-SCAIB 15, avenue de Ségur, Paris-7" Té1. 705.29.10 MOTOROLA SEMICONDUCTEURS Gentre Electronique de Toulouse 1 26, chemin Ganto-Laouzetto 31-Toulouse Le Mirail ;.9 o c o c o o E o À