CV Camille Petit-Etienne_site web LTM

Docteur en Génie des Procédés et Hautes Technologies
PETIT-ETIENNE Camille
17 Avenue des Martyrs
38054 Grenoble Cedex 9
France
Tel : (+33) (0)4 38 78 31 26
E-mail : [email protected]
FORMATION
Doctorat en Génie des Procédés et Haute Technologie, mention très honorable, 2003-2007
Laboratoire de Génie des Procédés Plasmas et Traitements de surfaces à l’ENSCP
(Chimie Paris), Université Pierre et Marie Curie, Paris VI.
DEA de Chimie Appliquée et Génie des Procédés Industriels, mention Bien, Université 2002-2003
Pierre et Marie Curie, Paris VI.
Maîtrise de chimie, mention Bien, 5ème /109, Université Paris VI.
2001-2002
Option : procédés industriels.
Licence de chimie, mention Assez bien, Université Paris VI.
2000-2001
Module de sensibilisation : chimie organique approfondie.
Module d’ouverture : chimie, environnement et santé.
Ingénieur de recherche, Laboratoire des Technologies de la Microélectronique, Depuis
EXPERIENCE
octobre
PROFESSIONNELLE CNRS-UJF-INPG (CEA/LETI), Grenoble. Directeur du Laboratoire : Olivier Joubert
•
Responsable des deux plateformes de gravure du LTM dans la salle blanche du LETI
2008
•
Etude de la gravure du silicium par plasmas pulsés (accord de coopération avec la société
Applied Materials)
-
•
Développement et optimisation de procédés de gravure
Caractérisation physico-chimique : XPS, ellipsométrie spectroscopique et cinétique, MEB
Valorisation des travaux de recherche (articles, conférences internationales)
Gravure profonde du silicium par procédé plasma
- Développement et caractérisation du procédé (XPS, MEB, ellipsométrie, spectrométrie
de masse, spectroscopie d’émission optique)
•
- Co-encadrement d’un doctorant
Optimisation du procédé de gravure pour l’obtention de motifs denses 20 nm/20 nm
par la technique dite de « spacer patterning » sur résine
-
•
•
•
Développement et caractérisation de procédés (MEB, ellipsométrie)
Co-encadrement d’un stagiaire de Master 2
Gravure par plasmas d’interfaces métalliques dans les grilles de transistors « High-K Metal »
pour la technologie CMOS 28 nm
- Co-encadrement d’un doctorant
Etude de la gravure d’InP par procédé plasma
- Développement et caractérisation du procédé (XPS, MEB, ellipsométrie)
- Co-encadrement d’un post-doctorant
Vacation : TP XPS et TP plasma à Polytech’Grenoble
Chercheur doctorante, Laboratoire de Génie des Procédés Plasmas et Octobre
Traitements de Surfaces, ENSCP, Paris.
2003-2007
•
Dépôt d’oxyde de silicium par procédé plasma hors équilibre à basse pression et pression
atmosphérique sur de l’acier : application aux propriétés anti-corrosion.
-
-
Optimisation des procédés plasmas de dépôt à basse pression et à pression
atmosphérique.
Evaluation des propriétés de protection vis-à-vis de la corrosion par des méthodes
électrochimiques : impédancemétrie, voltampérométrie
Caractérisation physico-chimique des films de SiOx : MEB, XPS, EDS, FTIR,
ellipsométrie, angle de contact, spectroscopie d’électrons Auger, spectroscopie
d’émission optique
Valorisation des travaux de recherche (articles, conférence internationale)
Stage de DEA, Laboratoire de Génie des Procédés Plasmas et Traitements de Surfaces, OctobreENSCP, Paris.
Juillet 2002•
Dopage par du platine des couches d’oxydes d’étain déposées par le procédé CVD
2003
assisté par plasma pour des applications capteurs de gaz toxiques.
-
Optimisation du procédé plasma de dépôt et de dopage
Caractérisation physico-chimique des films de SnO2 dopé au Pt : MEB, EDX, XPS,
SIMS, angle de contact
Valorisation des travaux de recherche (article)
Stage de Maîtrise, Biosphere Medical, Roissy-en-France.
•
Coloration de microsphères Embosphere®
−
Synthèse de microsphères polymères.
Coloration des microsphères.
Avril-Juin
2002
PUBLICATIONS :
Dendritic platinum aggregates produced in the plasma assisted chemical
vapor deposition of tin oxide thin films
J. Pulpytel, C. Petit-Etienne and F. Arefi-Khonsari
IEEE Transactions on Plasma Science, Volume 33, n°2, 244 (2005)
Open Air Deposition of SiO2 Films by an Atmospheric Pressure LineShaped Plasma
X. Zhu, F. Arefi-Khonsari, C. Petit-Etienne and M. Tatoulian
Plasma Processes and Polymers, Volume 2, Issue 5, June 14, 407–413 (2005)
Deposition of SiO2-Like Thin Films from a Mixture of HMDSO and Oxygen
by Low Pressure and DBD Discharges to Improve the Corrosion
Behaviour of Steel
C. Petit-Etienne, M. Tatoulian, I. Mabille, E. Sutter and F. Arefi-Khonsari
Plasma Processes and Polymers, Volume 4, Issue 0, S562-S567 (2007)
Synchronous Pulsed Plasma for Silicon Etch Applications
M. Darnon, C. Petit-Etienne, E. Pargon, G. Cunge, L. Vallier, P. Bodart, M. Haas,
S. Banna, T. Lill and O. Joubert
ECS Transactions, 27, 717-723 (2010)
Reducing damage to Si substrates during gate etching processes by
synchronous plasma pulsing
C. Petit-Etienne, M. Darnon, L. Vallier, E. Pargon, G. Cunge, F. Boulard, O.
Joubert, S. Banna, T. Lill
Journal of Vacuum Science Technology B, 28, 926 (2010)
Etching mechanisms of thin SiO2 exposed to Cl2 plasma
C. Petit-Etienne, M. Darnon, L. Vallier, E. Pargon, G. Cunge, M. Fouchier,
P. Bodart, M. Haass, M. Brihoum, S. Banna, T. Lill, O. Joubert
Journal of Vacuum Science Technology B, 29, 051202 (2011)
Silicon recess minimization during gate patterning using synchronous
plasma pulsing
C. Petit-Etienne, E. Pargon, S. David, M. Darnon, L. Vallier, O. Joubert, S. Banna
Journal of Vacuum Science Technology B, 30, 040604 (2012)
Towards new plasma technologies for 22 nm gate etch processes and
beyond
O. Joubert, M. Darnon, G. Cunge, E. Pargon, T. David, C. Petit-Etienne, L.
Vallier, N. Posseme, P. Bodart, L. Azarnouche, R. Blanc, M. Haass, M. Brihoum,
S. Banna, T. Lill,
Proceeding of SPIE Vol. 8328, 83280D, 10pp (2012)
Atomic-scale silicon etching control using pulsed Cl2 plasma
Camille Petit-Etienne, Maxime Darnon, Paul Bodart, Marc Fouchier, Gilles Cunge,
Erwine Pargon, Laurent Vallier, Olivier Joubert, Samer Banna
Journal of Vacuum Science Technology B, 31, 011201 (2013)