Profilage de matériaux organiques en Tof-SIMS à l

Profilage de matériaux organiques en Tof-SIMS à l’aide
d’ions de basse énergie
N.Mine, promoteur: L. Houssiau
Centre de Recherche en Physique de la Matière et du Rayonnement (PMR), Université de Namur (FUNDP)
Polymères et matériaux organiques utilisés en
électronique: des écrans, des cellules
photovoltaïques,...
Etudes de surfaces et interfaces pour des
dépôts organiques sur matériaux à vocation
biomédicale (prothèses, stents, ...)
Spectrométrie de Masse d’Ions Secondaires par temps
de vol (ToF-SIMS)
Analyse en 3D/en profondeur grâce à:
- un faisceau d’érosion (sputtering) à basse énergie, pour
moins de dégâts sur la structure organique
- un faisceau d’analyse, avec dégâts limités
Objectifs:
1) Etude de faisabilité - utilisation sur systèmes organiques modèles
2) Optimisation - utilisation sur échantillons industriels (confidentiel)
3) Fondamental - mécanismes physico-chimiques qui rendent le profilage possible
Résultats:
L’érosion au césium réactif à basse énergie amène un effet
chimique qui préserve la structure moléculaire des
molécules organiques, là où d’autres bombardements d’ions
ne font que « carboniser » le matériaux.
Les techniques connexes ont aidé à la compréhension des
méchanismes physico-chimiques (XPS, ToF-SIMS, OES,
SEM).
Malgré les améliorations techniques rapides (érosion à l’aide
de clusters d’Ar), le cesium est compétitif en terme de
résolution en profondeur et pour son côté « tout
terrain ». Il peut être utilisé pour des analyses ToF-SIMS
efficaces, autant pour l’organique que l’inorganique!
(Système mixtes)
PS
Au
PS
Au
PS
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La thèse a également permis de coupler le ToF-SIMS à un
spectromètre optique (OES) pour observer la lumière
émise lors de l’érosion, ceci ouvre de nouvelles perspectives
pour la compréhension des mécanismes fondamentaux du
sputtering.
7 articles, 2 fortement cités (>15 en - de 3 ans)
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vendredi 1 juin 2012
Si
PS