Université Djilali Liabès de Sidi Bel Abbès

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE
MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
Université Djilali Liabès de Sidi Bel Abbès
Fiche de Présentation
Thèse de Doctorat / Mémoire de Magister
Type de la PG
‫نوع ما بعد التدرج‬
Magister
‫قديد أحمد‬
‫اســــــم و لقـــب الطـــــــــالب‬
Nom et Prénom de l'étudiant
e-mail de l'étudiant /
‫البريد االلكتروني للطـــالب‬
Numéro de téléphone
de l'étudiant /‫رقم ھاتــف الطـالب‬
KADID Ahmed
[email protected]
0559-90-66-31
Spécialité / ‫*التــــخصص‬
Electronique
Option / ‫*الفـــــرع‬
Microélectronique
Intitulé de la thèse / mémoire
‫ المذكــــــــرة‬/ ‫عنـــــــوان األطروحة‬
Nom et Prénom de l'encadreur
‫اســــــم و لقـــب المؤطــــــــر‬
Date de soutenance
‫تاريخ المناقشة‬
Etude et simulation des paramètres technologiques et électriques des
structures réalisées à base de composés nitrurés
Les mots clés
‫الكلمات المفتاحية‬
keys word
CHELLALI Mohammed
18/03/2015
Transistor HEMT, matériaux III-N, nitrure de gallium,
Silvaco
(*) Se conformer aux intitulés des spécialités et des options portées sur la dernière attestation d’inscription.
: (‫الملخص )بالعربية‬
‫ جذبت الكثير من االنتباه بسبب خاصياتھا‬GaN ‫ أشباه النواقل ذات أساس آزوتي و خاصة من نوع‬،‫في السنوات األخيرة‬
‫ حقل االنفصام و االستقرار الكيميائي الكبيرين مما يسمح لھذه‬، ‫ كالحركية االلكترونية المنطقية‬، (Si) ‫المھمة مقارنة مع السيليسيوم‬
‫ برھنة‬.‫المجموعة من المواد أن تكون المرشح المثالي لالستخدام في الترددات المرتفعة ذات استطاعة كبيرة و حرارة مرتفعة‬
‫ جاءت إلثبات الجھد الكبير المنتظر لھذه‬AlGaN/GaN ‫( عالي الحركية االلكترونية ذو بنية غير متجانسة‬HEMT) ‫الترانزيستور‬
.‫المواد‬
‫ ال‬AlGaN/GaN ‫( عالي الحركية االلكترونية ذو بنية غير متجانسة‬HEMT) ‫في حين أن اإليجابيات الكبيرة لتكنولوجيا الترانزيستور‬
‫ السبب ھو أن العديد من الجوانب المرتبطة بعمل ھذا المركب ال تزال‬.‫تزال لم يستفد منھا كاملة رغم بداية المتاجرة بكثرة لھذا المركب‬
.‫في طريق التحسين‬
‫ و نقوم بتغيير بعض التركيبات‬، AlGaN/GaN ‫( ذو بنية غير متجانسة‬HEMT) ‫ نقدم دراسة بالمحاكاة للترانزيستور‬،‫في ھذا العمل‬
‫ كذلك المسافة‬.‫ مع تغيير نسبة تشبعھا باإللكترونات‬AlGaN ‫ و سماكة الطبقة الواھبة لإللكترونات‬AlGaN ‫مثل سماكة الطبقة المانعة‬
‫ لنفھم أكثر دور الطبقات‬.AlGaN ‫ الخاص باأللمنيوم في العنصر‬x ‫ و طول البوابة كلك الجزء المولي‬،‫الفاصلة بين البوابة و المبعث‬
.‫ كذلك تأثيرھا على أداء ھذا المركب في حالة تيار مستمر و متناوب‬،‫المشكلة لبنية ھذا الترانزستور‬
Résumé (Français et/ou Anglais) :
In recent years, the III-nitride semiconductor and especially gallium nitride (GaN) has attracted
much attention due to several advantages over silicon (Si) as the wide band gap, reasonable electron
mobility, a high breakdown field and high chemical stability have allowed this system to be a good
candidate materials for microwave applications of high power and high temperature. The demonstration
of the first high electron mobility transistor (HEMT) based on a heterostructure AlGaN / GaN has
confirmed the great potential tipped to this sector. However, the great advantages of HEMTs
technology to basic heterostructure AlGaN / GaN have not yet been fully exploited, despite the start of
the mass marketing of these components. The reason is that several aspects related to the reliability of
the transistors are being improved.
In this work, a simulation of a HEMT AlGaN / GaN is given. By varying parameters such as the
thickness of the AlGaN barrier layer and the donor layer AlGaN and its doping profile and the gatesource distance, drain-source and gate length. And the molar fraction x of aluminum in the AlGaN. To
better understand the role of each of the layers of the structure, as well as their impact on its
performance in static and dynamic conditions.