Session : Amplificateurs et laser à semi
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Session : Amplificateurs et laser à semi
Session : Amplificateurs et laser à semi-conducteur 15:30 - 15:45 : STABILISATION DE LA DERIVE EN FREQUENCE DANS LES DIODES LASERS SEMICONDUCTRICES SOUMISES A UNE FORCE DE RAPPEL OPTIQUE Khalil kechaou, Frédéric Grillot, Jean-Guy Provost, Didier Erasme et Bruno Thedrez La dérive de fréquence des lasers DFB peut être stabilisée via une force de rappel optique. L’objectif de cet article est d’expliquer et de confirmer cet effet par la simulation numérique et de dégager des règles de sélections quantitatives afin d’améliorer les performances des futurs systèmes de télécommunications optiques. 15:45 - 16:00 : Diodes laser à 780 nm pour senseurs inertiels Joseph Patient Bebe Manga Lobe et Charles Cayron Dans le but de mettre au point des lasers pour le pompage d’atomes pour application aux senseurs atomiques, nous avons développé des structures lasers émettant à 780 nm (équivalent à la raie D2 du rubidium) à forte puissance optique. Pour ce faire, nous avons exploré différentes approches de structures afin de mieux les comprendre et d’en choisir les meilleures. Nous démontrons sur des lasers à ruban large, d’excellentes performances en bon accord avec les prévisions théoriques. 16:00 - 16:15 : CONVERSION EN LONGUEUR D’ONDE LARGE BANDE (90 NM) DE SIGNAUX OPTIQUES DMT-OOFDM UTILISANT LA MODULATION CROISEE DU GAIN D’UN RSOA M. Hamzé, Ammar SHARAIHA, Mikael Guégan et Ali Hamié Dans cette communication, nous démontrons pour la première fois, à notre connaissance, la possibilité de réaliser la conversion en longueur d’onde de signaux optiques QPSK-OOFDM et QAM-16-OOFDM dans un SOA réflectif (RSOA) sur une grande plage spectrale de l’ordre de 90 nm. 16:15 - 16:30 : AMPLIFICATEUR OPTIQUE HYBRIDE SOA-RAMAN A BANDE PASSANTE OPTIQUE OPTIMISÉE (89NM) POUR LES RÉSEAUX CWDM Tammam Motaweh, Ammar Sharaiha, Laura Ghişa, Pascal Morel, Mikael Guegan, Romain Brenot et François Lelarge Dans ce travail, nous démontrons expérimentalement la possibilité d’obtenir une bande passante – définie à -1 dB– de 89 nm avec une structure d’amplificateur optique hybride SOA-Raman basée sur l’emploi d’un SOA intrinsèquement large bande. L’amplificateur hybride obtenu a permis la transmission de 5 canaux CWDM sur 124 km avec un débit de 10 Gb/s par canal 16:30 - 16:45 : DEVELOPPEMENT D’UN LASER SUR SILICIUM DANS L’APPROCHE PSEUDO-MORPHIQUE Cédric Robert, Charles Cornet, Tra Nguyen Thanh, Mathieu Perrin, Antoine Létoublon, Jean-Marc Jancu, Jacky Even, Pascal Turban, Sylvain Tricot, Andrea Balocchi, Xavier Marie, Slimane Loualiche, Olivier Durand et Alain Le Corre Dans cette communication, nous présentons les études en cours pour le développement d’un laser sur silicium dans l’approche pseudomorphique. L’intérêt de la croissance directe de matériaux semiconducteurs III-V sur silicium pour le développement de structures lasers est tout d’abord expliqué. Différentes zones actives à base de puits quantiques et de boites quantiques sont ensuite comparées d’un point de vue optique. Enfin, des mesures d’ellipsométrie et des calculs de raccords de bande permettent de proposer une structure laser type sur silicium, avec une barrière de confinement optique en AlGaP. 16:45 - 17:00 : LASERS A BLOCAGE DE MODES A BASE DE BATONNETS QUANTIQUES INAS/INP POUR LA RADIO SUR FIBRE A 60GHZ R. ROSALES, B. Charbonnier, K. Merghem, F. Van Dijk, A. Marinez et A. Ramdane L’optimisation de la croissance de bâtonnets quantiques InAs/InP a permis la réalisation de lasers à blocage de modes à une seule section présentant de très bonnes performances en terme de gain modal ~ 50 cm-1, de puissance optique moyenne > 40 mW, avec une largeur de raie RF aussi faible que 10 kHz et une bande passante de modulation directe supérieure à 7 GHz. Le potentiel de ces composants en tant que transmetteurs optiques pour la génération de signaux millimétriques, i.e. applications en radiosur-fibre à 60 GHz, est évalué. Le vecteur d’erreur relativement bas ~ 11 % ainsi qu’un rapport signal à bruit > 25 dB montre le fort potentiel de ces composants pour les communications sans fil d’intérieur sur courte distance à 2,5 Gb/s.