Session : Amplificateurs et laser à semi

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Session : Amplificateurs et laser à semi
Session : Amplificateurs et laser à semi-conducteur
15:30 - 15:45 : STABILISATION DE LA DERIVE EN FREQUENCE DANS LES
DIODES LASERS SEMICONDUCTRICES SOUMISES A UNE FORCE DE RAPPEL
OPTIQUE
Khalil kechaou, Frédéric Grillot, Jean-Guy Provost, Didier Erasme et Bruno Thedrez
La dérive de fréquence des lasers DFB peut être stabilisée via une force de rappel optique. L’objectif de
cet article est d’expliquer et de confirmer cet effet par la simulation numérique et de dégager des règles
de sélections quantitatives afin d’améliorer les performances des futurs systèmes de
télécommunications optiques.
15:45 - 16:00 : Diodes laser à 780 nm pour senseurs inertiels
Joseph Patient Bebe Manga Lobe et Charles Cayron
Dans le but de mettre au point des lasers pour le pompage d’atomes pour application aux senseurs
atomiques, nous avons développé des structures lasers émettant à 780 nm (équivalent à la raie D2 du
rubidium) à forte puissance optique. Pour ce faire, nous avons exploré différentes approches de
structures afin de mieux les comprendre et d’en choisir les meilleures. Nous démontrons sur des lasers à
ruban large, d’excellentes performances en bon accord avec les prévisions théoriques.
16:00 - 16:15 : CONVERSION EN LONGUEUR D’ONDE LARGE BANDE (90 NM) DE
SIGNAUX OPTIQUES DMT-OOFDM UTILISANT LA MODULATION CROISEE DU
GAIN D’UN RSOA
M. Hamzé, Ammar SHARAIHA, Mikael Guégan et Ali Hamié
Dans cette communication, nous démontrons pour la première fois, à notre connaissance, la possibilité
de réaliser la conversion en longueur d’onde de signaux optiques QPSK-OOFDM et QAM-16-OOFDM
dans un SOA réflectif (RSOA) sur une grande plage spectrale de l’ordre de 90 nm.
16:15 - 16:30 : AMPLIFICATEUR OPTIQUE HYBRIDE SOA-RAMAN A BANDE
PASSANTE OPTIQUE OPTIMISÉE (89NM) POUR LES RÉSEAUX CWDM
Tammam Motaweh, Ammar Sharaiha, Laura Ghişa, Pascal Morel, Mikael Guegan, Romain Brenot et
François Lelarge
Dans ce travail, nous démontrons expérimentalement la possibilité d’obtenir une bande passante –
définie à -1 dB– de 89 nm avec une structure d’amplificateur optique hybride SOA-Raman basée sur
l’emploi d’un SOA intrinsèquement large bande. L’amplificateur hybride obtenu a permis la transmission
de 5 canaux CWDM sur 124 km avec un débit de 10 Gb/s par canal
16:30 - 16:45 : DEVELOPPEMENT D’UN LASER SUR SILICIUM DANS L’APPROCHE
PSEUDO-MORPHIQUE
Cédric Robert, Charles Cornet, Tra Nguyen Thanh, Mathieu Perrin, Antoine Létoublon, Jean-Marc Jancu,
Jacky Even, Pascal Turban, Sylvain Tricot, Andrea Balocchi, Xavier Marie, Slimane Loualiche, Olivier
Durand et Alain Le Corre
Dans cette communication, nous présentons les études en cours pour le développement d’un laser sur
silicium dans l’approche pseudomorphique. L’intérêt de la croissance directe de matériaux semiconducteurs III-V sur silicium pour le développement de structures lasers est tout d’abord expliqué.
Différentes zones actives à base de puits quantiques et de boites quantiques sont ensuite comparées
d’un point de vue optique. Enfin, des mesures d’ellipsométrie et des calculs de raccords de bande
permettent de proposer une structure laser type sur silicium, avec une barrière de confinement optique
en AlGaP.
16:45 - 17:00 : LASERS A BLOCAGE DE MODES A BASE DE BATONNETS
QUANTIQUES INAS/INP POUR LA RADIO SUR FIBRE A 60GHZ
R. ROSALES, B. Charbonnier, K. Merghem, F. Van Dijk, A. Marinez et A. Ramdane
L’optimisation de la croissance de bâtonnets quantiques InAs/InP a permis la réalisation de lasers à
blocage de modes à une seule section présentant de très bonnes performances en terme de gain modal
~ 50 cm-1, de puissance optique moyenne > 40 mW, avec une largeur de raie RF aussi faible que 10 kHz
et une bande passante de modulation directe supérieure à 7 GHz. Le potentiel de ces composants en
tant que transmetteurs optiques pour la génération de signaux millimétriques, i.e. applications en radiosur-fibre à 60 GHz, est évalué. Le vecteur d’erreur relativement bas ~ 11 % ainsi qu’un rapport signal à
bruit > 25 dB montre le fort potentiel de ces composants pour les communications sans fil d’intérieur sur
courte distance à 2,5 Gb/s.

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