Gravure par Plasma Haute Densité de Type icp-rie

Gravure par
Plasma Haute Densité
de Type icp-rie
FABRICANT : SPTS
MODÈLE : Multiplex Inductively Coupled Plasma (ICP) SR III-V system
Échantillons
- Taille d’échantillons : 1 mm à 100 mm, épaisseur : 8 mm maximum
Température et gaz accessibles
- Température : 20 °C à 160 °C
- Gaz : Ar, N2, Cl2, He, H2, CH4, O2, SiCl4, BCl3
Caractéristiques
- Source ICP : jusqu'à 1 kW à 13.56 MHz
- Source du plateau : 0-300 W à 13.56 MHz
PROCÉDÉS DE ROUTINE
Gravure ICP-RIE Silicium
- Type de silicium : Bulk, SOI
- Taille de motif minimale atteinte : 1 µm
Gravure ICP-RIE germanium
- Types de germanium : Bulk
- Taille de motif minimale atteinte : 1 µm
Gravure ICP-RIE métaux
- Type de métaux : Cr, Ti, Al
- Taille de motif minimale atteinte : 30 nm
Gravure ICP-RIE matériaux III-V
- Type de métaux : InP, InAs, InGaAs, InGaAsP, InAsP, InGaP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN
- Taille de motif minimale atteinte : 30 nm