Motivation Candidature C2N - Sagnes - Université Paris-Sud

Candidature à la direction du C2N Le C2N, qui sera créé en Janvier 2016, est issu de la fusion entre le LPN, unité propre du CNRS et l’IEF, unité mixte CNRS/Univ. Paris Sud. Le C2N sera ouvert aux acteurs académiques et industriels pour permettre le développement d’axes de recherche stratégique dans les domaines des matériaux, de la nanophotonique, de la nanoélectronique, des nanobiotechnologies et des micro-­‐nano systèmes. Le C2N, qui s’installera mi-­‐2017 sur le plateau de Saclay dans de nouveaux locaux construits sous maîtrise d’ouvrage CNRS, sera un des acteurs majeurs de l’Université Paris Saclay. ü Par le nombre de chercheurs et enseignant-­‐chercheurs, le C2N sera le plus grand laboratoire académique de photonique en Europe. ü Associé en particulier au LPS, à l’UMPhy et aux laboratoires du CEA, il constituera une force unique en nanoélectronique en France et en Europe. ü Par le regroupement de nombreux matériaux tels que les semi-­‐
conducteurs IV-­‐IV et III-­‐V, les oxydes fonctionnels, les matériaux 2D, les métaux, les matériaux magnétiques et bien d’autres, le C2N sera un acteur majeur en science des matériaux au niveau national et international. ü Par la spécificité du C2N d’héberger des recherches en micro-­‐systèmes et en nano-­‐micro fluidique, le centre sera un partenaire privilégié dans les domaines des capteurs et des sciences pour la santé, avec en outre la volonté d’y développer les nano-­‐bio sciences. La centrale de micro-­‐nanofabrication du C2N, outre le fait d’être la plus grande installation académique nationale (35% du réseau RENATECH en superficie), sera installée au cœur de l’Université Paris-­‐Saclay et rayonnera dans toute l’Ile de France. Aux côtés des espaces dédiés aux matériaux (700 m2) et aux nanotechnologies (1200 m2), le C2N accueillera dans sa salle blanche, un espace de formation aux nanotechnologies de 170 m2 qui sera principalement utilisé par les enseignants de l’Université Paris-­‐Sud et un espace d’accueil de 250 m2 dédié aux PMEs. Le regroupement sur un même site au cœur du quartier de l’Ecole polytechnique, des moyens technologiques en micro-­‐nano fabrication, des acteurs industriels (HORIBA, THALES, EDF, CEA, …) et de l’environnement de l’Université Paris Sud et Paris-­‐Saclay permettra au C2N d’être un des piliers en Ile de France et au niveau national, de la recherche, de l’innovation et de la formation en nano-­‐microtechnologies. Cela fait cinq années que je me suis investie dans la cellule projet du C2N, en assurant en particulier la responsabilité du suivi pour les utilisateurs de la partie bâtiment du futur laboratoire (13 000m² utiles pour environ 400 personnes). Ceci m’a amené à participer et à m’investir dans le projet scientifique du C2N ainsi que dans la gestion des ressources humaines. Depuis 5 ans, en étant quotidiennement sur le terrain pour toutes les phases de pré-­‐programmation, programmation, avant-­‐projet sommaire et détaillé, en participant activement aux préparations des comités scientifiques du C2N, en co-­‐
animant les groupes de travail sur le modèle économique de notre future salle blanche, je contribue à la mise en œuvre de ce nouveau laboratoire avec les acteurs internes du I. Sagnes – Candidature C2N – Mars 2015 -­‐ 1 futur C2N, en particulier avec une très grande majorité des ITs du centre et avec ses chercheurs et enseignants-­‐chercheurs. Tout au long de la construction du projet depuis sa genèse jusqu’à aujourd’hui, j’ai appris à connaître tous les acteurs techniques et scientifiques du plateau. J’ai en particulier échangé et construit le positionnement du C2N avec nos futurs voisins ainsi qu’avec les acteurs de l’aménagement du campus de Paris-­‐Saclay (POLVI, FCS, EPPS, SGP, …). A travers POLVI, l’association qui regroupe les acteurs notamment industriels présents sur le plateau de Saclay, j’agis pour permettre que notre installation se fasse dans les meilleures conditions, en coordination avec nos voisins (CEA, Thales, Horiba, EDF, IPVF, Mines-­‐Télécom). D’autre part, consciente de l’enjeu pour nos tutelles, l’Université Paris Sud et le CNRS, que l’opération de fusion se réalise sereinement, je travaille régulièrement avec les deux tutelles pour anticiper toutes les phases futures d’aménagement et de fonctionnement au quotidien du futur centre. En parallèle à mes responsabilités dans le projet C2N et a p r è s a v o i r é t é m e m b r e n o m m é e n c o m m i s s i o n 0 8 d u C o N R S p e n d a n t 4 a n s , je suis chargée de mission « Nano » à l’institut INSIS, auprès de Laurent Nicolas (DAS) depuis Septembre 2012. A l’INSIS, je suis en charge plus particulièrement du réseau RENATECH pour le CNRS (Budget fonctionnement et investissement, animation scientifique et administrative du réseau des grandes centrales de micro-­‐nano-­‐technologies, aux côtés de Michel de Labachelerie et de Caroline Boisard). De plus, depuis Janvier 2015, mes missions à l’INSIS se sont élargies à l’ensemble de la photonique du portefeuille de laboratoires dont Laurent Nicolas est en charge en tant que DAS. Au titre de chargé de mission Nano et Photonique, de responsable de RENATECH pour le CNRS, je participe aux comités de direction élargis de l’INSIS. L’animation scientifique et administrative du réseau RENATECH m’a permis de bien connaître tous les enjeux liés à une grande salle blanche et le rôle moteur que jouent ces centrales dans la vie scientifique des laboratoires et de la communauté nationale en nanosciences. Mon investissement total depuis plus de cinq ans dans le projet C2N m’a permis d’acquérir une vision globale des enjeux liés à ce nouveau laboratoire. Cette vision résulte à la fois de la connaissance détaillée de l’activité de recherche interne et des interactions d’un tel laboratoire avec les tutelles CNRS et Paris Sud, l’environnement de l’université Paris Saclay et le réseau RENATECH. J’ai à cœur que le C2N devienne un centre de recherche de haut niveau, reconnu internationalement, avec une identité forte tout en faisant preuve d’une cohésion interne marquée. L’ensemble de ces éléments m’amène à me porter candidate à la direction de ce laboratoire, afin de poursuivre le travail et le processus engagés, en consacrant toute mon énergie au service du C2N. Mes motivations pour cette direction sont diverses et au service d’un positionnement collectif de nos ambitions. Ma première motivation est d’organiser au mieux tous les moyens technologiques présents dans la salle blanche pour réaliser des objets innovants, au service de tous les axes de recherche du C2N et de ses partenaires de Paris-­‐Saclay, d’Ile de France et de la communauté nationale et internationale. C’est l’envie (ou le souhait) qu’elle soit bien conçue et bien aménagée qui m’a poussée à m’impliquer personnellement dans la conception et la réalisation de cette centrale depuis 2010. Cette pépite technique et I. Sagnes – Candidature C2N – Mars 2015 -­‐ 2 technologique sera la colonne vertébrale du C2N offrant à la communauté locale et nationale une panoplie très large de types de matériaux, des réalisations technologiques à l’état de l’art, et des personnels technologues motivés et passionnés au service des nanosciences et des nanotechnologies. Ma seconde motivation est que chaque acteur chercheur, enseignant-­‐chercheur, ingénieur et technicien du C2N bénéficient d’une infrastructure ambitieuse et unique dans le monde académique où toutes les compétences scientifiques et techniques seront réunies en un même lieu. Les compétences du C2N seront au service de sujets fondamentaux ou appliqués innovants (qu’ils soient internes ou externes) tout en gardant un contact soutenu avec le tissu industriel français et européen. L’équipe de gouvernance du futur centre œuvrera pour une gestion collective de nos moyens et de nos thématiques internes pour permettre une production scientifique de haut niveau, favoriser l’émergence de nouveaux sujets, encourager la prise d’autonomie, faciliter le travail d’équipe, et contribuer à l’éco-­‐système du Plateau de Saclay et au rayonnement national des nanosciences et nanotechnologies. Je serai très attentive à aider les enseignants-­‐chercheurs qui effectuent leurs enseignements sur différents sites, parfois éloignés du C2N. La force du futur C2N réside principalement dans la qualité et l’expertise de ses personnels et c’est avec eux, dans un esprit de dialogue et d’ouverture, que je propose de diriger ce laboratoire. La troisième raison est que je suis personnellement attirée par l’orchestration de projets technologiques et scientifiques, au service du fondamental ou de l’appliqué, à la « mise en musique » humaine des idées pour qu’elles germent et donnent naissance à des projets ambitieux pour préparer l’avenir tant au niveau national qu’européen. Les fondements de la gouvernance du C2N, que je propose dans ce contexte de discuter avec vous, sont : • Une équipe de direction opérationnelle disponible et à l’écoute : celle-­‐ci sera indépendante du portage des projets, condition nécessaire à la disponibilité et à la promotion de toutes les activités. • Une représentativité large des différentes activités scientifiques, accompagnée d’une visibilité accrue des porteurs et des acteurs-­‐clé des projets scientifiques. La prise d’autonomie sera favorisée afin que le C2N rayonne à travers le plus grand nombre d’acteurs sur la scène internationale. • Une souplesse importante pour adapter notre organisation aux spécialités disciplinaires aux interfaces • Un modèle économique qui permette à chacun de développer ses activités • Une gestion partagée et transparente des moyens techniques lourds • Un équilibre de l’activité interne/externe en cohérence avec le contexte scientifique et économique tant local que national I. Sagnes – Candidature C2N – Mars 2015 -­‐ 3 CURRICULUM VITAE Isabelle SAGNES Directeur de Recherche DR1-­‐CNRS 47 ans Etudes et titres universitaires 1989-­‐1991 : 1990-­‐1991 : 1991-­‐1994 : 2007 : Magistère de Physique de l'Université Joseph Fourier, Grenoble D.E.A. (Optique – Optoélectronique – Micro–ondes) de l'Institut National Polytechnique de Grenoble Doctorat de Physique de l'Université Joseph Fourier, Grenoble effectué au CNET – France Télécom (Grenoble). « Etudes des propriétés électro-­‐
optiques des hétérostructures épitaxiées sur silicium » Habilitation à Diriger des Recherches de l’Université Paris Diderot-­‐ Paris 7. « De l’électron aux photons : propriétés électro-­‐optiques des hétérostructures épitaxiées sur Si et III-­‐V » Recherche 08/1994 – 12/1996 01/1997 – 11/1998 12/1998 – 12/2000 01/2001 – 11/2007 Ingénieur R&D au CNET – Grenoble – France Télécom. Ingénieur R&D au CNET – Bagneux – France Télécom. Chargé de Recherche CNRS-­‐CR1 – CDP-­‐URA 250 à Bagneux Chargé de Recherche CNRS-­‐CR1 -­‐ LPN-­‐UPR 20 à Bagneux puis à Marcoussis depuis le 1er Octobre 2001 11/2007 – 09/2013 Directeur de Recherche CNRS-­‐DR2 -­‐ LPN-­‐UPR 20 à Marcoussis 10/2013 – … Directeur de Recherche CNRS-­‐DR1 -­‐ LPN-­‐UPR 20 à Marcoussis Travaux de recherche Mes activités de recherche ont débuté en 1991, par une thèse de doctorat sur les propriétés électro-­‐optiques des hétérostructures Si/SiGe. Je me suis intéressée à la modulation de seuil de détection dans la gamme 3-­‐5 microns, à l’augmentation de bande interdite liée à la diminution de taille des nanocrystallites dans le silicium poreux, aux transitions inter-­‐sous-­‐
bandes dans les puits quantiques Si/SiGe, à l’augmentation de la mobilité des trous et des électrons dans les premiers pseudo-­‐substrats de SiGe 20%. Après mon recrutement au CNET-­‐France Telecom à Meylan, j’ai pris en charge dans les filières CMOS, la nitruration de l’oxyde de grille, mis en évidence l’importance de la passivation hydrogène de surface, étudiée la grille mid-­‐gap en Ge pur dans la filière CMOS 0,18microns et réalisé les premiers pseudo-­‐substrats de Ge pur. Depuis mon recrutement au CNRS en 1998 au Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, je suis responsable de l’activité de croissance par EPVOM (Epitaxie en phase vapeur aux organométalliques). Mes thématiques de recherche ont été : • l’épitaxie par EPVOM de nanostructures InAs sur InP par croissance auto-­‐organisée ou sélective. Etude des propriétés structurales et optiques de ces boites quantiques (émission à 1,55µm) avant réalisation de composants à cristaux photoniques (CPs). • les sources à émission verticale : Epitaxie de structures complexes sur substrat GaAs pour les solitons de cavité (LPN), de ½ VCSELs émettant à 850 et 980 nm (collaborations IES, IOGS, TRT). Gestion de la thermique par brasure sèche sur SiC ou diamant, par double report et croissance d’Au électrolytique. I. Sagnes – Candidature C2N – Mars 2015 -­‐ 4 •
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l’hétéroépitaxie III-­‐V sur Ge/Si (Cellules solaires : projet européen Apollon) et Ge/InP et GaAs (Gap direct du Ge, Collaboration IEF) par EPVOM. Développement de la croissance EPVOM de cascades quantiques InAlAs/InGaAs sur InP pour le moyen infrarouge (collaboration MPQ−Paris7, IEF). Maintien des croissances « classiques » par EPVOM de matériaux III-­‐V sur GaAs et InP pour la photonique du LPN et la communauté nationale. J’ai encadré et animé un grand nombre de projets en nanotechnologies, tels que la gravure de micropiliers GaAs/AlAs et de structures à cristaux photoniques 1D et 2D GaAs et InP pour l’optique quantique et non-­‐ linéaire, le collage par brasure Au/In ou BCB (résine) pour le report de structures III-­‐V sur Si, SiC ou diamant. Je me suis volontairement formée, il y a 8 ans à la lithographie électronique pour la réalisation de boites quantiques par épitaxie sélective et la réalisation de sources à cristaux photoniques sur GaAs et InP. Auteur ou co-­‐auteur de plus de 300 revues internationales à comité de lecture (h=31 dans ISI Web, 4800 citations), 4 brevets. Activité RICL soutenue liée à mes proches collaborateurs qui « utilisent » les échantillons que j’épitaxie ou que je processe pour leurs projets scientifiques et à un réseau très riche de collaborations. Encadrement Stages : Encadrement de 12 stagiaires (3ème année de l’ESPCI, Master 1 et 2, L3) Thèses : 17 thèses dont 9 en co-­‐encadrement et 4 en co-­‐encadrement technologique Post-­‐doctorants : 5 post-­‐doctorants de 2 ou 3 ans Responsable hiérarchique : • 3 techniciens et 3 opérateurs (CNET-­‐Meylan) • 1 Ingénieur de Recherche (1999-­‐2001, CDP-­‐Bagneux) • 1 Ingénieur d’Etude (10/2004-­‐.., LPN) Gestion et administration de la recherche •
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Coordinatrice technique du suivi des travaux de construction du nouveau laboratoire LPN sur le site d’ALCATEL à Marcoussis (Juillet 1999 – Septembre 2001) Coordinatrice du suivi du déménagement des équipements et des ressources humaines (Octobre 2001 à Janvier 2002) Suivi du raccordement des équipements hors salle blanche et en zone épitaxie (Janvier 2002 – Juin 2002) Membre nommé (1999-­‐2000) puis élu (2001-­‐2004) au conseil de laboratoire du LPN Membre des commissions de spécialistes (28ème section) : Paris 7 et Nice Sophia-­‐
Antipolis (2003-­‐2007) Membre du conseil scientifique de l’UFR de Physique de Paris 7 (2005-­‐2007) Membre nommé /bureau de la section 08 du comité national du CNRS (Mandat 2008-­‐2012) Rapporteur de 15 thèses et examinatrice de 20 thèses depuis Avril 2007. Rapporteur de 8 Habilitation à diriger des recherches depuis 2008. I. Sagnes – Candidature C2N – Mars 2015 -­‐ 5 •
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Expert photonique à l’ANR pour le programme Blanc non thématique SIMI3 (2010, 2011, 2012), SIMI10 (2013), Défi7 (2014, 2015 et évaluatrice lors de la première phase des appels). Membre de la cellule projet C2N (fusion IEF-­‐LPN, plateau de Saclay) depuis Mars 2010. Coordinatrice du bâtiment C2N depuis Septembre 2010 (Préprogramme, Programme (Mars 2011), Dossier concours architectural (Mars 2012 – Août 2012), Avant Projet Sommaire (APS) janvier-­‐Août 2013. Emménagement prévu mi-­‐ 2017, projet immobilier sous maîtrise d’ouvrage CNRS (83 M€ HT). Chargée de mission « Nano » à l’INSIS depuis Septembre 2012, en charge en particulier de RENATECH pour le CNRS (Budget fonctionnement et investissement, Coordination scientifique et administrative du réseau). Depuis Janvier 2015, en charge de la photonique pour le portefeuille 08B de l’INSIS. Projets européens : •
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Responsable de tâches scientifiques dans 5 projets FP6 et FP7 Participation à 6 projets FP6, FP7, réseau d’excellence, Eranet Projets nationaux : •
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Réseau Micro et Nano-­‐Technologies Action Concertée Incitative Jeunes Chercheurs Action Concertée Nanosciences Action Spécifique STIC Action Concertée Optique Nano 2008 (STMicroelectronics-­‐Minefi) 2 PREI DGA 9 ANR ESA 3 RTRA I. Sagnes – Candidature C2N – Mars 2015 -­‐ 6 Publications significatives •
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Optical absorption evidence of a quantum size effect in porous silicon, I. Sagnes et al., Appl. Phys. Lett. 62, 1155 (1993). A new MOCVD InP/AlGaInAs Distributed Bragg Reflector for 1.55 μ m VCSELs, I. Sagnes et al., Electronic Letters 37 (8), p. 500-­‐501, (2001). Phase-­‐Matched Frequency Doubling at Photonic Band Edges: Efficiency Scaling as the Fifth Power of the Length, Y. Dumeige et al., Phys. Rev. Lett 89 (4), 43901 (2002). <500-­‐fs soliton pulse in a passively mode -­‐ locked broadband surface-­‐
emitting laser with 100-­‐mW average power, A. Garnache et al., Appl. Phys. Lett. 80 (21), 3892-­‐3894, (2002). Surface− plasmon distributed− feedback mid− infrared quantum cascade lasers based on hybrid plasmon/air− guided modes, A. Bousseksou et al., Electron. Lett. 44, 807 (2008). Ultrabright source of entangled photon pairs, A. Dousse et al. , Nature 466, 217 (2010). High quality tensile-­‐strained n-­‐doped germanium thin films grown on InGaAs buffer layers by metal-­‐organic chemical vapor deposition, R. Jakomin et al., Appl. Phys. Lett. 98, 91901 (2011). Low-­‐noise dual-­‐frequency laser for compact Cs atomic clocks, P. Dumont et al., J. Lightwave Tech. 32, 3817 (2014). Brevets •
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"Enchaînement d’étapes technologiques en vue de la fabrication de la grille "mid-­‐
gap" en alliage silicium-­‐germanium (concentration de germanium entre 50 et 100%) des dispositifs microélectroniques de type CMOS. Enchaînement de l’oxyde de grille aux espaceurs du transistor", I. Sagnes, Brevet CNET/02815 (Décembre 1996). “InGaAs/GaAs lasers on Si produced by LEPECVD and MOCVD”, H. Von Kaenel, I. Sagnes, S. Bouchoule, G. Saint-­‐Girons, Brevet International WO 2005/025019 (Novembre 2005). VCSEL devices allowing high coherence, high power and large tunability (IES, LPN, Innoptics), A. Garnache, M. Myara, I. Sagnes, G. Beaudoin, L. Ferrières, V. Lecocq, S. Denet, European Patent 14305752.9 (2014). Laser device with a beam carrying controlled orbital angular momentum (IES, LPN, LP2N), A. Garnache, M. Myara, I. Sagnes, L. Le Gratiet, M. Sellahi, M. Seghilani, P. Lalanne, European Pattent 14307037.3-­‐1556 (2014).
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