Untitled

IUOTOF?OLA
Sern îeonduete.trs
LA PLUS LABGE GAMME D'AMPLIFIcATEURS orÉnRTIOIIIITIS IrurÉENÉS
MC
MC 1430
Tension
+9
d'Alimentation
+6
d'Alimentation
nominale (V)
il0
ll0
110
-
Gamme de
r
Excursion
I4
5000
Gain en boucle
ouverte (typ.)
5000
l2
Bande passante
à 3 dB (MHz-typ.l
(boucle ouverte)
60 000
3500
0l
04
't2
150
0+75
0+75
,L: 3,5
+
+
12
3,5
_:
12
3600
45 000
3400
45 000
002
0l
04
70
55+125
12
7000
I
15
70
3,6
7000
60 000
3500
:
l8
-6
0+75
L
+
+12
+t2
l5
-55+125
3,6
-
80
0 +75
+
+12
1437
+21
6
+
80
-55+125
MC
+12
100
0+75
+4
t8
l5
+6
100
-55+125
4,5
t
+
125
0+75
:l
4,5
l0
55+125
0+75
de sortie
minimum (V)
t20
I
-
55+125
température 1"C)
+6
MC 1712C
+21
l8
+e
T
t5
I
MC r7r2
MC r709C
+
t8
l5
+6
MC 1709
MC 1435
ll0
t8
+
+
-6
+6
Puissance
c0ns0mmee
(mW typ.)
+
+8
+8
MC 1s3s
MC 1433
1431
+e
max. (V)
Tension
MC 1s33
MC r531
MC 1s30
PARAMETRES
45 000
I
0l
002
I
à
n
20K
Z entrée
(O typ I
r5
600
K
25
Z sortie
(O typ.)
IM
2M
45K
600
K
r,7
K
I00
25
25
45K
K
t00
25
400
40K
K
250
32K
K
t50
.:
K
=
ô
o
ë
t
200
150
I
I
0-
7K
200
t50
30
P
75
Réjection en mode
commun (dB typ.)
100
75
FG
F;G
Boitiers
F,G,P
t00
75
75
90
90
FG
FG
F,G,P
'I
90
F,G,P
o
95
90
100
L=
o
c
o
FG
FG
F,G,P
.9
00
c
F,G,P
F,G,P
P
.9
ô
E
o
204-258-273
Notes
d'application
2
76
-400-403
204-258
273-403
248-261
275-400
0-
400-403
.t'l
la classification de Mendeleff, le germanium est un métal rare présentant des analogies avec le silicium et l'étain. ll fut découvert en 1885
par Winkler. Ses propriétés semi-conductrices sont mises
à profit dans les diodes et les transistors utilisés dans des
conditions de températures ambiantes normales. Pour les
températures élevées, on lui substitue le silicium.
LE GERMANIUM : 32e élément de
MOTOROLA-SCAIB
15, avenue de Ségur, Paris-7" Té1.705.29,10
MOTOROLA SEMICONDUCTEURS
Centre Electronique de Toulouse
1 26, chemin Canto-Laouzetto
31-Toulouse Le Mirail
TNOTOROLA
Selrr ic,onducteurs
LA PLUS LARGE GAMME DE CIRCUITS INTEGRES DIGITAUX
clRactÉntsloues
Type de looique
MECL
MECL II
n0n
saturée
I
MHTL
MTTL
MDTL
n0n
Zener-
saturée
Transistor
transistortransistor
4
85
l0
40
120
4
35
40
assez bonne
DTL
MRTL
Diode-
Diode-
résistance
résistance
Transistor
Transistor
transistor
transistor
30
30
24
45
20
l2 ou40
t0
8 (min.)
tà3
35
t5
I
I
t2
2,5
assez bonne
excellente
bon ne
bonne
bonne
faible
faible
excellente
excellente
excellente
assez bonne
bonne
bonno
bonne
bonne
25
25
l0
I
5
5
4
20c)
r5e)
2ko
640 c)
ou Vsat
3,6 ko
ou Vsat
mW MRTL
Temps de
propagation
moyen (n.S)
Elément binaire
fréquence typique
de travail ( MHz )
Puissance de
dissipation par
porte ( mW )
lmmunité aux bruits
externes
lmmunité aux bruits
internes
Facteur pyramidal
de sortie
par porte
lmpédance
de sortie
1,5
ko
ou Vsat
l2
ou 6
15 ou 7
G
70c)
ou Vsat
6
ko/z ko
ou Vsat
ou Vsat
c
I
E
c
c
Entrée
expansible
0u
0ut
0u
0u
0u
0u
0u
0u
o
o
o
E
À
Connexion
en
0u
our
0 +75
0+75
-55+125
ri15I + I 25
"0U"
0ut
n0n
0u
0+75
0 +75
-55 + 125
0ut
t!j
Gamme de
température ( oC )
Tension
d'alimentation
-5,2+20%
-5,2+20%
n0n
+15+55
-30 +75
r5+r,0v
MONOCRISTAUX DE SILICIUM : 14e élément de la classification de Mendeletf, le silicium est un métalloide analogue
au carbone. ll entre dans un grand nombre de minéraux et
lorme 28,'/" de l'écorce terrestre. G'est un semiconducteur de
plus en plus employé en électronique ; son excellente tenue
en température et I'homogénéité de sa fabrication ont permis
I'extension du procédé Planar.
-55+125
,'o;'Âa
5,0+t0%
0+75
-55 +125
-l',1+roz
0 +75
0 + 100
n0n
0-
+15 +55
-55 +125
0+75
-55+125
3,0+10%
3,8+10%
3,0+10%
3,6+10%
MOTOROLA-SCAIB
15, avenue de Ségur, Paris-7" Té1. 705.29.10
MOTOROLA SEMICONDUCTEURS
Gentre Electronique de Toulouse
1 26, chemin Ganto-Laouzetto
31-Toulouse Le Mirail
;.9
o
c
o
c
o
o
E
o
À